絲?。?strong>FDMC5614P；Package：DFN3X3-8L；P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Application ●Load/Power Switching ●Interfacing Switching ●Logic Level Shift

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TECHPUBLIC

臺(tái)舟電子

P-Channel PowerTrench MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

P 溝道 Power Trench? MOSFET -60V，-13.5A，100mΩ

此P溝道MOSFET是采用Fairchild先進(jìn)的PowerTrench工藝生產(chǎn)的穩(wěn)固?hào)艠O版本。 已針對(duì)要求大范圍柵極驅(qū)動(dòng)電壓額定值(4.5V-20V)的電源管理應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。 ?VGS= -10 V，ID = -5.7A時(shí)，最大rDS(on) = 100mΩ\n?VGS = -4.5 V，ID = -4.4A時(shí)，最大rDS(on) = 135mΩ\n?低柵極電荷\n?快速開(kāi)關(guān)速度\n?高性能溝道技術(shù)可實(shí)現(xiàn)極低的 rDS(on)\n?高功率和高電流處理能力\n?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn);

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

LED DIGIT DISPLAY

文件：328.58 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages

FORYARD

復(fù)洋

LED DIGIT DISPLAY

文件：328.58 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages

FORYARD

復(fù)洋

THYRISTOR/ DIODE and THYRISTOR/ THYRISTOR

文件：233.54 Kbytes 頁(yè)數(shù)：10 Pages

IRF