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RTQ020N03	文件：66.39 Kbytes Page：3 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/tr/marking.html">TR；Package：TSMT6；2.5V Drive Nch MOS FET ■ MOSFETs ● Small Signal MOSFET Series ● Middle Power MOSFET Series ● Power MOSFET Series ■ Selector Guide for Automotive MOSFETs (AEC-Q101) ■ Bipolar Transistors (Surface mount type) ■ Transistor Array ■ Complex Bipolar Transistors ■ Digital Transistors ■ Complex Digital Transis 文件：66.39 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
RTQ020N03	文件：485.58 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES ? Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition ? TrenchFET? Power MOSFET ? Low On-Resistance ? 100 Rg Tested ? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS ? DC/DC Converters, High Speed Switching 文件：485.58 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	VBSEMI 微碧半導體	VBSEMI
RTQ020N03	文件：300 bytes Page：1 Pages	2.5V Drive Nch MOSFET 電界効果晶體管的MOSFET。提供通過采用細微流程的「超低阻值的設備」而在廣泛領域得以應用的功率MOSFET，并且結(jié)合用途，以多樣的小型高功率復合型的產(chǎn)品線對應多種市場需求。 ?2.5V驅(qū)動型 Nch 中功率MOSFET;	ROHM 羅姆	ROHM
RTQ020N03TR	文件：486.82 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES ? Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition ? TrenchFET? Power MOSFET ? Low On-Resistance ? 100 Rg Tested ? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS ? DC/DC Converters, High Speed Switching 文件：486.82 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	VBSEMI 微碧半導體	VBSEMI

技術(shù)參數(shù)

封裝：
TSMT6
包裝數(shù)量：
3000
最小獨立包裝數(shù)量：
3000
包裝形態(tài)：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
SOT-457T
JEITA Package：
SC-95
Number of terminal：
6
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
30
Drain Current ID[A]：
2
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)：
0.138
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)：
0.094
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.089
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.138
Total gate charge Qg[nC]：
2.4
Power Dissipation (PD)[W]：
1.25
Drive Voltage[V]：
2.5
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
2.9x2.8 (t=1)

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多RTQ020N03供應商更新時間2026-1-21 15:08:00

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