Complete DDR Memory Power Supply Controller

Features PWM Controller ? Adjustable Current Limit with Low-Side RDS(ON) Sensing ? Low Quiescent Supply Current ? Quick Load-Step Response within 100ns ? 1 VVDDQ Accuracy Over Line and Load ? Adjustable 0.675V to 3.3V Output Range for 1.8V (DDR2), 1.5V (DDR3), 1.35V (DDR3L), 1.2V (LPDDR3),

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絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/5e/marking.html">5E；Package：WQFN-20L；Complete DDR Memory Power Supply Controller

Features PWM Controller ? Adjustable Current Limit with Low-Side RDS(ON) Sensing ? Low Quiescent Supply Current ? Quick Load-Step Response within 100ns ? 1 VVDDQ Accuracy Over Line and Load ? Adjustable 0.675V to 3.3V Output Range for 1.8V (DDR2), 1.5V (DDR3), 1.35V (DDR3L), 1.2V (LPDDR3),

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DDR 內(nèi)存電源供應(yīng)控制器

RT8248A為DDR2/DDR3/DDR3L/LPDDR3/DDR4/LPDDR4內(nèi)存系統(tǒng)提供了完整的電源供應(yīng)，其中集成了一個同步Buck架構(gòu)的PWM控制器和一個具有1.5A電流吐納能力的追蹤型線性穩(wěn)壓器，還有一個經(jīng)過緩沖處理的低噪聲參考電壓源。\n\n其中的PWM控制器為筆記本電腦的RAM內(nèi)存部分提供了將電池高電壓轉(zhuǎn)換為低壓供電的高效率方案，具有優(yōu)異的瞬態(tài)響應(yīng)能力和極高的輸出電壓精度。它所采用的固定導(dǎo)通時間PWM控制架構(gòu)能很容易地面對很寬的輸入/輸出電壓比率范圍，能在維持相對穩(wěn)定的工作頻率情況下以快達100ns的實時響應(yīng)能力對負(fù)載瞬變做出回應(yīng)。\n\nRT8248A拋棄了傳統(tǒng)電流模式PWM ? PWM 控制器?下橋 RDS(ON) 電流檢測，電阻可程序設(shè)計電流限制 ?低靜態(tài)電流 ?100ns快速步階負(fù)載響應(yīng) ?全輸入電壓/負(fù)載范圍內(nèi)的1% VOUT 精度?1.8V(DDR2)、1.5V (DDR3)、1.35V(DDR3L)、1.2V(LPDDR3)、1.2V (DDR4) 和 1.1V (LPDDR4)固定電壓輸出或0.675V~3.3V可調(diào)電壓輸出?電池電壓輸入范圍：4.5V~26V?電阻可程序設(shè)計工作頻率?過壓/欠壓保護?軟啟動期間有內(nèi)部電流限制斜波?具備驅(qū)動大功率同步整流 MOSFET 的能力?電源狀態(tài)指示\n? 1.5A 線性穩(wěn)壓器（ VTT ），帶緩沖的參;

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Package：20-WFQFN 裸露焊盤；包裝：管件 類別：集成電路（IC） 特殊用途穩(wěn)壓器 描述：IC REG CTRLR DDR WQFN-20

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