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RT1E050RP	文件：317.19 Kbytes Page：6 Pages	4V Drive Pch MOSFET ■ MOSFETs ● Small Signal MOSFET Series ● Middle Power MOSFET Series ● Power MOSFET Series ■ Selector Guide for Automotive MOSFETs (AEC-Q101) ■ Bipolar Transistors (Surface mount type) ■ Transistor Array ■ Complex Bipolar Transistors ■ Digital Transistors ■ Complex Digital Transis 文件：317.19 Kbytes 頁(yè)數(shù)：6 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
RT1E050RP	文件：300 bytes Page：1 Pages	4V Drive Pch MOSFET 電界効果晶體管的MOSFET。提供通過(guò)采用細(xì)微流程的「超低阻值的設(shè)備」而在廣泛領(lǐng)域得以應(yīng)用的功率MOSFET，并且結(jié)合用途，以多樣的小型高功率復(fù)合型的產(chǎn)品線對(duì)應(yīng)多種市場(chǎng)需求。 ?4V驅(qū)動(dòng)型 Pch 中功率MOSFET;	ROHM 羅姆	ROHM
ECJZEC1E050	文件：252.67 Kbytes Page：12 Pages	Multilayer Ceramic Capacitors(For General Usage) 文件：252.67 Kbytes 頁(yè)數(shù)：12 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
ECJZEC1E050	文件：860.9 Kbytes Page：12 Pages	Multilayer Ceramic Capacitors(For General Usage) 文件：860.9 Kbytes 頁(yè)數(shù)：12 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
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技術(shù)參數(shù)

Package Code：
TSST8
Package Size[mm]：
3.0x1.9(t=0.8)
Applications：
Power Supply
Number of terminal：
8
Polarity：
Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
-30
Drain Current ID[A]：
-5.0
RDS(on)[Ω] VGS=4V (Typ.)：
0.04
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.)：
0.036
RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.)：
0.026
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.04
Total gate charge Qg[nC]：
13.0
Power Dissipation (PD)[W]：
1.25
Drive Voltage[V]：
-4.0
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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深圳市賽美科科技有限公司	RT1E050RP	ROHM		SMDDIP	185600	一級(jí)代理原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨	詢價(jià)
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更多RT1E050RP供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-20 17:22:00

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