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RT1A050ZP	文件：220.1 Kbytes Page：6 Pages	絲印：YH；Package：TSST8；1.5V Drive Pch MOSFET ■ MOSFETs ● Small Signal MOSFET Series ● Middle Power MOSFET Series ● Power MOSFET Series ■ Selector Guide for Automotive MOSFETs (AEC-Q101) ■ Bipolar Transistors (Surface mount type) ■ Transistor Array ■ Complex Bipolar Transistors ■ Digital Transistors ■ Complex Digital Transis 文件：220.1 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
RT1A050ZP	文件：300 bytes Page：1 Pages	1.5V Drive Pch MOSFET 電界効果晶體管的MOSFET。提供通過采用細微流程的「針對通信產(chǎn)品的超低阻值的設(shè)備」而產(chǎn)生的節(jié)能的功率MOSFET，并且結(jié)合用途，以多樣的小型高功率復(fù)合型的產(chǎn)品線對應(yīng)多種市場需求。 ?低電壓1.5V驅(qū)動型 Pch MOSFET;	ROHM 羅姆	ROHM
A1A050TW	文件：675.5 Kbytes Page：2 Pages	FORMULA UL Molded Case Circuit Breakers 文件：675.5 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
D1A050D	文件：32.21 Kbytes Page：1 Pages	DIP REED RELAY Features Molded epoxy body DIP type construction with the same terminal pitch as ICs or TTLs simplifies PC board designing. In addition, the high sensitivity allows direct driving by TTL, etc. ?Automatic insertion compatible Sealed construction permits automatic flow soldering and clean 文件：32.21 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC

技術(shù)參數(shù)

Package Code：
TSST8
Package Size[mm]：
3.0x1.9(t=0.8)
Applications：
Power Supply
Number of terminal：
8
Polarity：
Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
-12
Drain Current ID[A]：
-5.0
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V (Typ.)：
0.048
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V (Typ.)：
0.026
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.)：
0.019
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.048
Total gate charge Qg[nC]：
34.0
Power Dissipation (PD)[W]：
1.25
Drive Voltage[V]：
-1.5
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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