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RM115N65T2	文件：310.54 Kbytes Page：7 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/115n65/marking.html">115N65；Package：TO-220-3L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The RM115N65T2 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Feature VDS =65V,ID =115A RDS(ON) 文件：310.54 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	RECTRON 麗正國際	RECTRON
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更多RM115N65T2供應(yīng)商更新時間2026-1-22 10:06:00