高精度入耳檢測+高精度電容觸摸

RM1001A系列入耳+電容觸摸芯片是一款適用于 TWS 耳機(jī)入耳、觸摸檢測的高性能觸控芯片?？梢詸z測金屬極板與待測物體之間的電容量，并通過高性能 ADC 量化為數(shù)值，然后通過內(nèi)部的接近檢測算法判斷物體與極板之間的距離，當(dāng)距離達(dá)到某一數(shù)值時(shí)， RM1001A 會(huì)產(chǎn)生直接電平或事件編碼脈沖波形輸出。\n\nRM1001A內(nèi)部的自校準(zhǔn)電路可以消除Sensor端的固定距離誤差。同時(shí)也可以支持多路信號(hào)輸入，任意兩通路信號(hào)可以配置成差分模式以抵消外部環(huán)境寄生電容以及溫度的漂移。\n\nRM1001A 擁有豐富的可配置寄存器，可以針對(duì)不同電容結(jié)構(gòu)和工作環(huán)境進(jìn)行調(diào)整和校準(zhǔn)，并根據(jù)用戶需求實(shí)現(xiàn)高性能、低功耗的 ? 2.4~5.5V 的外部單電源供應(yīng)\n\n? 內(nèi)建穩(wěn)壓電路\n\n? 多通道的電容感應(yīng)輸入通道，可以配置成差分模式\n\n? 電容檢測分辨率 30aF\n\n? 內(nèi)部提供可編程的電容偏移補(bǔ)償電容，最大 50pF\n\n? 支持多種事件輸出格式\n\n? 支持 I2C 進(jìn)行參數(shù)調(diào)節(jié)\n\n? 通過 I2C 總線并配合 VPP 燒錄電源引腳，支持對(duì) EEPROM 進(jìn)行程序燒寫和升級(jí)\n\n? 入耳檢測響應(yīng)時(shí)間 50ms\n\n? 掃描模式： 5uA ~ 10uA / CH\n\n? 瞌睡模式： 3uA / CH\n\n? 封裝形式： DFN-8（2x2）;

REALMAGIC

銳盟

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications

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TOSHIBA

東芝

NPN Silicon Germanium Transistor High Frequency Low Noise Amplifier

Features ? Ideal for LNA applications. e.g. Tuner, Wireless LAN, Cordless phone and etc. ? High gain and low noise. MSG = 25 dB typ., NF = 0.65 dB typ. at VCE = 2 V, IC = 5 mA, f = 0.9 GHz MSG = 22 dB typ., NF = 0.75 dB typ. at VCE = 2 V, IC = 5 mA, f = 1.8 GHz MSG = 21 dB typ., N

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RENESAS

瑞薩

NPN Silicon Germanium Transistor High Frequency Low Noise Amplifier

Features ? Ideal for LNA applications. e.g. Tuner, Wireless LAN, Cordless phone and etc. ? High gain and low noise. MSG = 25 dB typ., NF = 0.65 dB typ. at VCE = 2 V, IC = 5 mA, f = 0.9 GHz MSG = 22 dB typ., NF = 0.75 dB typ. at VCE = 2 V, IC = 5 mA, f = 1.8 GHz MSG = 21 dB typ., N

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瑞薩