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RFL2N06	文件：44.98 Kbytes Page：5 Pages	2A, 50V and 60V, 0.95 Ohm, N-Channel Power MOSFETs Description These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors designed for applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers, relay drivers, and drivers for high power bipolar switching transistors requiring high speed and low gate drive 文件：44.98 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	INTERSIL	INTERSIL
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RFL2N06L	文件：306.92 Kbytes Page：5 Pages	2A, 60V, 0.950 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFET The RFL2N06L N-channel enhancement mode silicon gate power field effect transistor is designed for applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers, relay drivers and drivers for high power bipolar switching transistors requiring high speed and low gate drive power. T 文件：306.92 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	INTERSIL	INTERSIL
RFL2N06L	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans MOSFET N-CH 50V 2A 3-Pin TO-205AF	NJS	NJS

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更多RFL2N06供應(yīng)商更新時間2026-1-21 16:01:00