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首頁(yè) >RFD8P06E>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
RFD8P06E	文件：87.69 Kbytes Page：8 Pages	8A, 60V, 0.300 Ohm, P-Channel Power MOSFETs These are P-Channel power MOSFETs manufactured using the MegaFET process. This process, which uses feature sizes approaching those of LSI integrated circuits gives optimum utilization of silicon, resulting in outstanding performance. They were designed for use in applications such as switching reg 文件：87.69 Kbytes 頁(yè)數(shù)：8 Pages	INTERSIL	INTERSIL
RFD8P06E	文件：288.44 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= -8A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= -60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.3Ω(Max)@VGS= -10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：288.44 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	ISC 無(wú)錫固電	ISC
RFD8P06E	文件：128.979 Kbytes Page：8 Pages	8A, 60V, 0.300 Ohm, P-Channel Power MOSFETs 文件：128.979 Kbytes 頁(yè)數(shù)：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
RFD8P06ESM	文件：87.69 Kbytes Page：8 Pages	8A, 60V, 0.300 Ohm, P-Channel Power MOSFETs These are P-Channel power MOSFETs manufactured using the MegaFET process. This process, which uses feature sizes approaching those of LSI integrated circuits gives optimum utilization of silicon, resulting in outstanding performance. They were designed for use in applications such as switching reg 文件：87.69 Kbytes 頁(yè)數(shù)：8 Pages	INTERSIL	INTERSIL
RFD8P06ESM	文件：277 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= -8A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= -60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.3Ω(Max)@VGS= -10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：277 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	ISC 無(wú)錫固電	ISC
RFD8P06E_02	文件：128.979 Kbytes Page：8 Pages	8A, 60V, 0.300 Ohm, P-Channel Power MOSFETs 文件：128.979 Kbytes 頁(yè)數(shù)：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
RFD8P06ESM	文件：128.979 Kbytes Page：8 Pages	8A, 60V, 0.300 Ohm, P-Channel Power MOSFETs 文件：128.979 Kbytes 頁(yè)數(shù)：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
RFD8P06E	文件：300 bytes Page：1 Pages	8A, 60V, 0.300 Ohm, P-Channel Power MOSFETs	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
RFD8P06E
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
- Bulk
制造商：
Harris Corporation

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	RFD8P06E	FAIRCHILD/仙童	23+	TO-252	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	RFD8P06E	FAIRCHILD/仙童	23+	SOT-252	11200	原廠授權(quán)一級(jí)代理、全球訂貨優(yōu)勢(shì)渠道、可提供一站式BO	詢價(jià)
深圳市星宇佳科技有限公司	RFD8P06E	HARRIS(哈利斯)	20+	-	3000		詢價(jià)
現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司	RFD8P06E		24+	N/A	62000	一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇	詢價(jià)
深圳市高捷芯城科技有限公司	RFD8P06E	TI	25+	-	20948	樣件支持,可原廠排單訂貨!	詢價(jià)
深圳市得捷芯城科技有限公司	RFD8P06E	TI	25+	-	21000	正規(guī)渠道,免費(fèi)送樣。支持賬期,BOM一站式配齊	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	RFD8P06ESM	FAIRCHILD	24+	TO-252	36800		詢價(jià)
深圳市華來(lái)深電子有限公司	RFD8P06ESM	F	23+	TO-252A	8560	受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價(jià)熱賣!	詢價(jià)
深圳市振宏微科技有限公司	RFD8P06ESM	HAR	23+	RFD8P06ESM	13528	振宏微原裝正品,假一罰百	詢價(jià)
深圳市華斯頓科技有限公司	RFD8P06ESM9A	INTERSIL	25+23+	TO-252	28379	絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨	詢價(jià)

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