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RD45HMF1	文件：321.53 Kbytes Page：7 Pages	Silicon MOSFET Power Transistor 900MHz,45W DESCRIPTION RD45HMF1 is a MOS FET type transistor specifically designed for 900MHz-band High power amplifiers applications. FEATURES ? High power and High Gain: Pout>45W, Gp>4.7dB @Vdd=12.5V,f=900MHz ? High Efficiency: 50typ. APPLICATION For output stage of high power amplifiers in 80 文件：321.53 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	MITSUBISHI 三菱電機	MITSUBISHI
RD45HMF1	文件：381.66 Kbytes Page：7 Pages	RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 900MHz,45W 文件：381.66 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	MITSUBISHI 三菱電機	MITSUBISHI
RD45HMF1	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FETs (Discrete) RD45HMF1	MITSUBISHI 三菱電機	MITSUBISHI
RD45HMF1_06	文件：381.66 Kbytes Page：7 Pages	RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 900MHz,45W 文件：381.66 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	MITSUBISHI 三菱電機	MITSUBISHI

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深圳市昂芯微科技有限公司	RD45HMF1	MITSUBI	23+	N/A	7560	原廠原裝	詢價

更多RD45HMF1供應(yīng)商更新時間2026-1-18 8:02:00