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QS8M13	文件：1.40965 Mbytes Page：11 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/tcr/marking.html">TCR；Package：TSMT8；4V Drive Nch Pch MOSFET ■ MOSFETs ● Small Signal MOSFET Series ● Middle Power MOSFET Series ● Power MOSFET Series ■ Selector Guide for Automotive MOSFETs (AEC-Q101) ■ Bipolar Transistors (Surface mount type) ■ Transistor Array ■ Complex Bipolar Transistors ■ Digital Transistors ■ Complex Digital Transis 文件：1.40965 Mbytes 頁數(shù)：11 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
QS8M13	文件：300 bytes Page：1 Pages	4V Drive Nch+Pch MOSFET 電界效果晶體管MOSFET。復合各一顆Pch和Nch MOSFET。提供通過采用細微流程的「超低阻值的設備」而在廣泛領域得以應用的功率MOSFET，并且結合用途，以多樣的小型高功率復合型的產(chǎn)品線對應多種市場需求。 ?4V驅動型 Nch+Pch 中功率MOSFET;	ROHM 羅姆	ROHM
SH8M13	文件：1.18679 Mbytes Page：11 Pages	4V Drive Nch Pch MOSFET 4V Drive Nch + Pch MOSFET Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (SOP8). Structure Silicon N-channel MOSFET/ Silicon P-channel MOSFET Application Switching 文件：1.18679 Mbytes 頁數(shù)：11 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
SM8M13AT-C	文件：524.59 Kbytes Page：3 Pages	6600W Transient Voltage Suppressors Family 文件：524.59 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
SM8M13T-C	文件：524.59 Kbytes Page：3 Pages	6600W Transient Voltage Suppressors Family 文件：524.59 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	SECOS 喜可士	SECOS

技術參數(shù)

Status：
新設計非推薦
封裝：
TSMT8
包裝數(shù)量：
3000
最小獨立包裝數(shù)量：
3000
包裝形態(tài)：
Taping
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Package Code：
TSMT8
Package Size[mm]：
3.0x2.8 (t=0.8)
Applications：
Switching
Number of terminal：
8
Polarity：
Nch+Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
30
Drain Current ID[A]：
6.0
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)：
0.028
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.025
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.02
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.028
Total gate charge Qg[nC]：
5.5
Power Dissipation (PD)[W]：
1.5
Drive Voltage[V]：
4.0
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

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