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PTF210901	文件：266.34 Kbytes Page：8 Pages	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 90 W, 2110-2170 MHz Description The PTF210901 is an internally matched 90 W GOLDMOS FET intended for WCDMA applications from 2110 to 2170 MHz. Full gold metallization ensures excellent device lifetime and reliability. Features ? Internal matching for wideband performance ? Typical two–carrier 3GPP WCDMA perfo 文件：266.34 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
PTF210901	文件：300 bytes Page：1 Pages	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 90 W, 2110-2170 MHz	Infineon 英飛凌	Infineon
PTF210901E	文件：266.34 Kbytes Page：8 Pages	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 90 W, 2110-2170 MHz Description The PTF210901 is an internally matched 90 W GOLDMOS FET intended for WCDMA applications from 2110 to 2170 MHz. Full gold metallization ensures excellent device lifetime and reliability. Features ? Internal matching for wideband performance ? Typical two–carrier 3GPP WCDMA perfo 文件：266.34 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
PTFZ-08-E BY OMZ/C	文件：0 bytes Page：0 Pages		OMRON/歐姆龍上傳：深圳市英創(chuàng)達電子半導體有限公司	OMRON/歐姆龍
PTH04000WAZ	文件：0 bytes Page：0 Pages	EUT-6	TI/德州儀器上傳：深圳市坤融電子科技有限公司	TI/德州儀器

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深圳市鵬和科技有限公司	PTF210901E/2A	INFINEON	24+	NA	5000	全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨	詢價
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更多PTF210901供應商更新時間2026-1-19 16:33:00