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PTB23005X	文件：99.58 Kbytes Page：12 Pages	NPN microwave power transistors DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial microwave power transistor in a metal ceramic SOT440A flange package with base connected to the flange. FEATURES ? Diffused emitter ballasting resistors providing excellent current sharing and withstanding a high VSWR ? Interdigitated structure provides 文件：99.58 Kbytes 頁數(shù)：12 Pages	PHI PHI	PHI
PTB23005X	文件：52.46 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI PTB23005X is Designed for General Purpose Class C Power Amplifier Applications up to 2300 MHz. FEATURES: ? PG = 10 dB min. at 5W/ 2,000 MHz ? Hermetic Microstrip Package ? Omnigold? Metalization System 文件：52.46 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ASI	ASI
PTB23005X	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN microwave power transistors	恩XP	恩XP
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更多PTB23005X供應商更新時間2026-1-19 18:32:00