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PMZB950UPE	文件：718.47 Kbytes Page：14 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/01011001/marking.html">01011001；Package：DFN1006B-3；20 V, P-channel Trench MOSFET 文件：718.47 Kbytes 頁數(shù)：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMZB950UPEL	文件：725.55 Kbytes Page：15 Pages	絲印：01011111；Package：DFN1006B-3；20 V, P-channel Trench MOSFET 文件：725.55 Kbytes 頁數(shù)：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMZB950UPE	文件：300 bytes Page：1 Pages	20 V, P-channel Trench MOSFET P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. ? Trench MOSFET technology\n? Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic package: 1.0 × 0.6 × 0.37 mm\n? ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 1 kV HBM\n? Drain-source on-state resistance RDSon = 1.02 ?;	Nexperia 安世	Nexperia
PMZB950UPEL	文件：300 bytes Page：1 Pages	20 V, P-channel Trench MOSFET P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. ? Low leakage current\n? Trench MOSFET technology\n? Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic package: 1.0×0.6×0.37mm\n? ElectroStatic Discharge (ESD) protection >1kVHBM\n? Drain-source on-state resistance RDSon =1.02?;	Nexperia 安世	Nexperia

技術參數(shù)

Package name：
DFN1006B-3
Product status：
Production
Channel type：
P
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
-20
VGS [max] (V)：
8
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
1400
RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：
2200
integrated gate-source ESD protection diodes：
Y
VESD HBM (V)：
1000
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
-0.5
QGD [typ] (nC)：
0.1
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
1.1899999
Ptot [max] (W)：
0.36
VGSth [typ] (V)：
-0.7
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
43
Coss [typ] (pF)：
14
Release date：
2014-07-28

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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深圳市潤聯(lián)芯城科技有限公司	PMZB950UPE	恩XP	23+	SOT-883B	50000	原裝正品支持實單	詢價
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