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PMX800UPE	文件：278.43 Kbytes Page：14 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/p/marking.html">P；Package：SOT8013；30 V, P-channel Trench MOSFET 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN0603-3 (SOT8013) Surface-Mounted Device (SMD) using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits ? Low threshold voltage ? Leadless ultra small package 0.63 x 0.33 x 0.25 mm ? T 文件：278.43 Kbytes 頁數(shù)：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMX800UPE	文件：300 bytes Page：1 Pages	30 V, P-channel Trench MOSFET P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN0603-3 (SOT8013) Surface-Mounted Device (SMD) using Trench MOSFET technology. ? Low threshold voltage\n? Leadless ultra small package 0.63 x 0.33 x 0.25 mm\n? Trench MOSFET technology\n? Low profile (0.25 mm)\n? ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM;	Nexperia 安世	Nexperia
PP800	文件：1.34187 Mbytes Page：7 Pages	High Quality from a Name You Can Trust 文件：1.34187 Mbytes 頁數(shù)：7 Pages	PICO Pico Technology Ltd.	PICO
PRCP-R800	文件：1.64726 Mbytes Page：7 Pages	Polymer Resettable Circuit Protectors 文件：1.64726 Mbytes 頁數(shù)：7 Pages	COPAL 尼得科	COPAL
PS800	文件：156.57 Kbytes Page：4 Pages	800 Watt Single Output PFC and Current Sharing PFC and Current Sharing 文件：156.57 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	WALL	WALL

技術(shù)參數(shù)

Package name：
DFN0603-3
Product status：
Production
Channel type：
P
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
-30
VGS [max] (V)：
8
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
850
RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：
900
integrated gate-source ESD protection diodes：
Y
VESD HBM (V)：
2000
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
-0.9
QGD [typ] (nC)：
0.4
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
1.4
Ptot [max] (W)：
0.3
VGSth [typ] (V)：
-0.7
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
124.00001
Coss [typ] (pF)：
12
Release date：
2023-03-20

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
北京天陽誠業(yè)科貿(mào)有限公司	PMX800UPEZ	NEXPERIA	24+	con	35960	查現(xiàn)貨到京北通宇商城	詢價(jià)
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更多PMX800UPE供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-22 9:30:00

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