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PMV88ENE	文件：270.21 Kbytes Page：15 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/5e/marking.html">5E；Package：SOT23；60 V, N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits ? Logic-level compatible ? Extended temperature range Tj = 175 °C ? Trench MOSFET technology 文件：270.21 Kbytes 頁數(shù)：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMV88ENEA	文件：271.49 Kbytes Page：15 Pages	絲印：HT；Package：TO-236AB；60 V, N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits ? Logic-level compatible ? Extended temperature range Tj = 175 °C ? Trench MOSFE 文件：271.49 Kbytes 頁數(shù)：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMV88ENEAR	文件：271.49 Kbytes Page：15 Pages	60 V, N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits ? Logic-level compatible ? Extended temperature range Tj = 175 °C ? Trench MOSFE 文件：271.49 Kbytes 頁數(shù)：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMV88ENE	文件：300 bytes Page：1 Pages	60 V, N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. ? Logic-level compatible\n? Extended temperature range Tj = 175 °C\n? Trench MOSFET technology\n? ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM (class H2);	Nexperia 安世	Nexperia
PMV88ENEA	文件：300 bytes Page：1 Pages	60 V, N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. ? Logic-level compatible\n? Extended temperature range Tj = 175 °C\n? Trench MOSFET technology\n? ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM (class H2)\n? AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia

技術(shù)參數(shù)

Package name：
SOT23
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
60
VGS [max] (V)：
20
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
117
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
146
integrated gate-source ESD protection diodes：
Y
VESD HBM (V)：
2000
Tj [max] (°C)：
175
ID [max] (A)：
2.2
QGD [typ] (nC)：
0.90000004
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)：
4
Ptot [max] (W)：
0.615
VGSth [typ] (V)：
1.7
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
196
Coss [typ] (pF)：
24
Release date：
2021-11-29

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司	PMV88ENE	NK/南科功率	2025+	SOT23	986966	國產(chǎn)	詢價
深圳市盈慧通電子有限公司	PMV88ENE	NEXPERIA/安世	2511	SOT23	360000	電子元器件采購降本30%!原廠直采,砍掉中間差價	詢價
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深圳市鑫遠鵬科技有限公司	PMV88ENEAR	鑫遠鵬	25+	NA	5000	價優(yōu)秒回原裝現(xiàn)貨	詢價
萬三科技(深圳)有限公司	PMV88ENEAR	Nexperia(安世)	25+	SOT-23	500000	源自原廠成本,高價回收工廠呆滯	詢價
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深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	PMV88ENEA	NEXPERIA/安世	22+	SOT-23	20000	只做原裝	詢價

更多PMV88ENE供應(yīng)商更新時間2026-1-22 14:01:00

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