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PMV52ENE	文件：268.5 Kbytes Page：15 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/4e/marking.html">4E；Package：SOT23；30 V, N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits ? Logic-level compatible ? Extended temperature range Tj = 175 °C ? Trench MOSFET technology 文件：268.5 Kbytes 頁數(shù)：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMV52ENEA	文件：269.63 Kbytes Page：15 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/hq/marking.html">HQ；Package：TO-236AB；30 V, N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits ? Logic-level compatible ? Extended temperature range Tj = 175 °C ? Trench MOSFE 文件：269.63 Kbytes 頁數(shù)：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMV52ENEAR	文件：269.63 Kbytes Page：15 Pages	30 V, N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits ? Logic-level compatible ? Extended temperature range Tj = 175 °C ? Trench MOSFE 文件：269.63 Kbytes 頁數(shù)：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMV52ENE	文件：300 bytes Page：1 Pages	30 V, N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. ? Logic-level compatible\n? Extended temperature range Tj = 175 °C\n? Trench MOSFET technology\n? ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 1 kV HBM (class H1C);	Nexperia 安世	Nexperia
PMV52ENEA	文件：300 bytes Page：1 Pages	30 V, N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. ? Logic-level compatible\n? Extended temperature range Tj = 175 °C\n? Trench MOSFET technology\n? ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 1 kV HBM (class H1C)\n? AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia

技術(shù)參數(shù)

Package name：
SOT23
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
30
VGS [max] (V)：
20
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
70
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
100
integrated gate-source ESD protection diodes：
Y
VESD HBM (V)：
1000
Tj [max] (°C)：
175
ID [max] (A)：
3.2
QGD [typ] (nC)：
0.6
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)：
2.2
Ptot [max] (W)：
0.63
VGSth [typ] (V)：
1.5
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
100
Coss [typ] (pF)：
29.999998
Release date：
2021-11-29

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司	PMV52ENE	NK/南科功率	2025+	SOT23	986966	國產(chǎn)	詢價(jià)
深圳市盈慧通電子有限公司	PMV52ENE	NEXPERIA/安世	2511	SOT23	360000	電子元器件采購降本30%!原廠直采,砍掉中間差價(jià)	詢價(jià)
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深圳市中聯(lián)芯電子有限公司	PMV52ENEA	NEXPERIA	24+	SOT23	1000	市場最低原裝現(xiàn)貨假一罰百可開原型號(hào)	詢價(jià)
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更多PMV52ENE供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-18 14:01:00

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