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PMV45EN	文件：475.7 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES ? Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition ? TrenchFET? Power MOSFET ? 100 Rg Tested ? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS ? DC/DC Converter 文件：475.7 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	VBSEMI 微碧半導(dǎo)體	VBSEMI
PMV45EN	文件：436.31 Kbytes Page：14 Pages	絲印：4N；Package：SOT23；N-channel TrenchMOS logic level FET 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications. 1.2 Features and benefits ? Logic-le 文件：436.31 Kbytes 頁數(shù)：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMV45EN	文件：313.29 Kbytes Page：3 Pages	N-channel TrenchMOS logic level FET 文件：313.29 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
PMV45EN	文件：238.69 Kbytes Page：12 Pages	mTrenchMOSTM enhanced logic level FET 文件：238.69 Kbytes 頁數(shù)：12 Pages	PHI PHI	PHI
PMV45EN2	文件：888.82 Kbytes Page：15 Pages	30 V, N-channel Trench MOSFET 文件：888.82 Kbytes 頁數(shù)：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMV45EN2_15	文件：471.58 Kbytes Page：15 Pages	30 V, N-channel Trench MOSFET 文件：471.58 Kbytes 頁數(shù)：15 Pages	PHI PHI	PHI
PMV45EN	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel TrenchMOS logic level FET Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications.	Nexperia 安世	Nexperia
PMV45EN2	文件：300 bytes Page：1 Pages	30 V, N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. ? Logic level compatible\n? Very fast switching\n? Trench MOSFET technology\n? Enhanced power dissipation capability of 1115 mW;	Nexperia 安世	Nexperia

技術(shù)參數(shù)

Package name：
SOT23
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
30
VGS [max] (V)：
20
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
42
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
54
integrated gate-source ESD protection diodes：
N
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
5.1
QGD [typ] (nC)：
0.4
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)：
3.6000001
Ptot [max] (W)：
0.51
VGSth [typ] (V)：
1.5
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
209
Coss [typ] (pF)：
50
Release date：
2014-05-28

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更多PMV45EN供應(yīng)商更新時間2026-1-21 22:59:00

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