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PMV32UP	文件：495.19 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES ? TrenchFET? Power MOSFET ? 100 Rg Tested APPLICATIONS ? For Mobile Computing - Load Switch - Notebook Adaptor Switch - DC/DC Converter 文件：495.19 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	VBSEMI 微碧半導(dǎo)體	VBSEMI
PMV32UP	文件：1.55121 Mbytes Page：15 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/nf/marking.html">NF；Package：SOT23；20 V, 4 A P-channel Trench MOSFET 1.1 General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits ? 1.8 V drain-source on-state resistance rated ? Very fast switching ? Trench 文件：1.55121 Mbytes 頁數(shù)：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMV32UP	文件：978.66 Kbytes Page：15 Pages	20 V, 4 A P-channel Trench MOSFET 文件：978.66 Kbytes 頁數(shù)：15 Pages	PHI PHI	PHI
PMV32UP	文件：450.16 Kbytes Page：4 Pages	20 V, 4 A P-channel Trench MOSFET 文件：450.16 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
PMV32UP	文件：300 bytes Page：1 Pages	20 V, 4 A P-channel Trench MOSFET P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. ? 1.8 V drain-source on-state resistance rated\n? Very fast switching\n? Trench MOSFET technology;	Nexperia 安世	Nexperia

技術(shù)參數(shù)

Package name：
SOT23
Product status：
Production
Channel type：
P
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
-20
VGS [max] (V)：
8
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
36
RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：
46
integrated gate-source ESD protection diodes：
N
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
-4
QGD [typ] (nC)：
2.2
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
15.499999
Ptot [max] (W)：
0.51
VGSth [typ] (V)：
-0.7
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
1889.9999
Coss [typ] (pF)：
175
Release date：
2011-03-15

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多PMV32UP供應(yīng)商更新時間2026-1-20 23:00:00

技術(shù)參數(shù)

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