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型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
PMV30UN	文件：342.44 Kbytes Page：13 Pages	TrenchMOS? ultra low level FET 1.1 Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS? technology. Product availability: PMV30UN in SOT23. 1.2 Features 1.3 Applications n Surface mount package n Fast switching. n Battery management n High-speed switches. 文件：342.44 Kbytes 頁(yè)數(shù)：13 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMV30UN	文件：238.08 Kbytes Page：12 Pages	UTrenchMOS ultra low level FET 文件：238.08 Kbytes 頁(yè)數(shù)：12 Pages	PHI PHI	PHI
PMV30UN	文件：200.04 Kbytes Page：3 Pages	N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS??technology. 文件：200.04 Kbytes 頁(yè)數(shù)：3 Pages	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
PMV30UN2R-TP	文件：1.32896 Mbytes Page：4 Pages	絲印：V6NE；Package：SOT23；N-Channel MOSFET General Features ? Vos 2201 o 268 \| Reson 文件：1.32896 Mbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	TECHPUBLIC 臺(tái)舟電子	TECHPUBLIC
PMV30UN2	文件：733.08 Kbytes Page：15 Pages	20 V, N-channel Trench MOSFET 文件：733.08 Kbytes 頁(yè)數(shù)：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMV30UN2_15	文件：273.32 Kbytes Page：15 Pages	20 V, N-channel Trench MOSFET 文件：273.32 Kbytes 頁(yè)數(shù)：15 Pages	PHI PHI	PHI
PMV30UN	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel TrenchMOS ultra low level FET Ultra low level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.	Nexperia 安世	Nexperia
PMV30UN	文件：300 bytes Page：1 Pages	UTrenchMOS ultra low level FET	恩XP	恩XP
PMV30UN2	文件：300 bytes Page：1 Pages	20 V, N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. ? Trench MOSFET technology\n? Low threshold voltage\n? Very fast switching\n? Enhanced power dissipation capability of 1000 mW;	Nexperia 安世	Nexperia

技術(shù)參數(shù)

Package name：
SOT23
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
20
VGS [max] (V)：
12
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
32
RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：
43
integrated gate-source ESD protection diodes：
Y
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
5.4
QGD [typ] (nC)：
1.4
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
6.2000003
Ptot [max] (W)：
0.49
VGSth [typ] (V)：
0.65
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
655
Coss [typ] (pF)：
70
Release date：
2014-06-03

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市金華微盛電子有限公司	PMV30UN	Nexperia	19+	SOT23	38000		詢價(jià)
深圳市高捷芯城科技有限公司	PMV30UN	恩XP	24+	標(biāo)準(zhǔn)封裝	17048	全新原裝正品/價(jià)格優(yōu)惠/質(zhì)量保障	詢價(jià)
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更多PMV30UN供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-21 16:03:00

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