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PMPB50ENE	文件：314.67 Kbytes Page：14 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/3u/marking.html">3U；Package：SOT1220；30 V, N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits ? Extended temperature range Tj = 175 °C ? Small and leadless 文件：314.67 Kbytes 頁數(shù)：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMPB50ENE	文件：300 bytes Page：1 Pages	30 V, N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. ? Extended temperature range Tj = 175 °C\n? Small and leadless ultra thin SMD plastic package: 2 x 2 x 0.65 mm\n? Tin-plated 100 % solderable side pads for optical solder inspection\n? ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM\n? Trench MOSFET technology;	Nexperia 安世	Nexperia
PMPB50ENEA	文件：300 bytes Page：1 Pages	PMPB50ENEA - 30 V, N-channel Trench MOSFET 30 V, N-channel Trench MOSFET - N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. ·Extended temperature range Tj = 175 °C\n·Small and leadless ultra thin SMD plastic package: 2 x 2 x 0.65 mm\n·Tin-plated 100 % solderable side pads for optical solder inspection\n·ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM\n·Trench MOSFET technology\n·AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia
PMPB55ENEAX	文件：0 bytes Page：0 Pages	DFN2020	NEXPERIA/安世上傳：深圳市盈慧通電子有限公司	NEXPERIA/安世
PMR100HZPFU10L0	文件：0 bytes Page：0 Pages	2512	ROHM/羅姆上傳：佛山市芯光達(dá)科技有限公司	ROHM/羅姆

技術(shù)參數(shù)

Package name：
DFN2020MD?6
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
30
VGS [max] (V)：
20
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
43
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
60
integrated gate-source ESD protection diodes：
Y
VESD HBM (V)：
2000
Tj [max] (°C)：
175
ID [max] (A)：
6.9
QGD [typ] (nC)：
1.3
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)：
6
Ptot [max] (W)：
1.9
VGSth [typ] (V)：
1.5
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
271
Coss [typ] (pF)：
58
Release date：
2018-04-26

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司	PMPB50ENE	NK/南科功率	2025+	DFN2020MD6	3000	國產(chǎn)南科平替供應(yīng)大量	詢價(jià)
深圳市盈慧通電子有限公司	PMPB50ENE	NEXPERIA/安世	2511	DFN2020-6	360000	電子元器件采購降本30%!原廠直采,砍掉中間差價(jià)	詢價(jià)
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艾睿（深圳）半導(dǎo)體有限公司	PMPB50ENEX	Nexperia(安世)	2447	SOT1220	115000	3000個(gè)/圓盤一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,	詢價(jià)
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深圳市鵬順微電子科技有限公司	PMPB50ENEAX	Nexperia USA Inc.	2022+	6-UDFN 裸露焊盤	38550	全新原裝支持表配單中國著名電子元器件獨(dú)立分銷	詢價(jià)
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更多PMPB50ENE供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-18 14:01:00

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