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PMPB48EP	文件：242.75 Kbytes Page：14 Pages	30 V, single P-channel Trench MOSFET General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. Features and benefits ? Trench MOSFET technology ? Small and leadless ultra thin SMD plasti 文件：242.75 Kbytes 頁數(shù)：14 Pages	恩XP	恩XP
PMPB48EP	文件：740.89 Kbytes Page：14 Pages	絲印：1U；Package：SOT1220；30 V, single P-channel Trench MOSFET 1.1 General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits ? Trench MOSFET technology ? Small and leadless ultra thin 文件：740.89 Kbytes 頁數(shù)：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMPB48EPA	文件：285.42 Kbytes Page：14 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/4q/marking.html">4Q；Package：SOT1220；30 V, P-channel Trench MOSFET 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits ? Trench MOSFET technology ? Side wettable flanks for optical 文件：285.42 Kbytes 頁數(shù)：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMPB48EP_15	文件：242.75 Kbytes Page：14 Pages	30 V, single P-channel Trench MOSFET 文件：242.75 Kbytes 頁數(shù)：14 Pages	PHI PHI	PHI
PMPB48EP	文件：300 bytes Page：1 Pages	30 V, single P-channel Trench MOSFET P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. ? Trench MOSFET technology\n? Small and leadless ultra thin SMD plastic package: 2 x 2 x 0.65 mm\n? Exposed drain pad for excellent thermal conduction\n? Tin-plated 100 % solderable side pads for optical solder inspection;	Nexperia 安世	Nexperia
PMPB48EPA	文件：300 bytes Page：1 Pages	30 V, P-channel Trench MOSFET P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. ? Trench MOSFET technology\n? Side wettable flanks for optical solder inspection\n? Small and leadless ultra thin SMD plastic package: 2 x 2 x 0.65 mm\n? AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia

技術參數(shù)

Package name：
DFN2020MD?6
Product status：
Production
Channel type：
P
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
-30
VGS [max] (V)：
20
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
50
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
76
integrated gate-source ESD protection diodes：
N
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
-6.8
QGD [typ] (nC)：
3.2
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)：
17
Ptot [max] (W)：
1.7
VGSth [typ] (V)：
-1.5
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
860
Coss [typ] (pF)：
105
Release date：
2012-09-10

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多PMPB48EP供應商更新時間2026-1-20 20:45:00

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