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PMPB27EP	文件：750.57 Kbytes Page：14 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/1v/marking.html">1V；Package：DFN2020MD-6；30 V, single P-channel Trench MOSFET 文件：750.57 Kbytes 頁數(shù)：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMPB27EP	文件：11.62183 Mbytes Page：234 Pages	Discrete and MOSFET components, analog & logic ICs 文件：11.62183 Mbytes 頁數(shù)：234 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMPB27EP	文件：11.62178 Mbytes Page：234 Pages	Discrete and MOSFET components, analog & logic ICs 文件：11.62178 Mbytes 頁數(shù)：234 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMPB27EPA	文件：296.33 Kbytes Page：14 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/4p/marking.html">4P；Package：SOT1220；30 V, P-channel Trench MOSFET 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits ? Trench MOSFET technology ? Side wettable flanks for optical 文件：296.33 Kbytes 頁數(shù)：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMPB27EPAX	文件：296.33 Kbytes Page：14 Pages	30 V, P-channel Trench MOSFET 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits ? Trench MOSFET technology ? Side wettable flanks for optical 文件：296.33 Kbytes 頁數(shù)：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMPB27EP_15	文件：253.97 Kbytes Page：14 Pages	30 V, single P-channel Trench MOSFET 文件：253.97 Kbytes 頁數(shù)：14 Pages	PHI PHI	PHI
PMPB27EP	文件：300 bytes Page：1 Pages	30 V, single P-channel Trench MOSFET P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. ? Trench MOSFET technology\n? Small and leadless ultra thin SMD plastic package: 2 x 2 x 0.65 mm\n? Exposed drain pad for excellent thermal conduction\n? Tin-plated 100 % solderable side pads for optical solder inspection;	Nexperia 安世	Nexperia
PMPB27EPA	文件：300 bytes Page：1 Pages	30 V, P-channel Trench MOSFET P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. ? Trench MOSFET technology\n? Side wettable flanks for optical solder inspection\n? Small and leadless ultra thin SMD plastic package: 2 x 2 x 0.65 mm\n? AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia

技術(shù)參數(shù)

Package name：
DFN2020MD?6
Product status：
Production
Channel type：
P
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
-30
VGS [max] (V)：
20
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
29
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
43
integrated gate-source ESD protection diodes：
N
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
-8.8
QGD [typ] (nC)：
3.8
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)：
19
Ptot [max] (W)：
1.7
VGSth [typ] (V)：
-1.5
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
1070
Coss [typ] (pF)：
119.99999
Release date：
2012-09-10

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市高捷芯城科技有限公司	PMPB27EP	NEXPERIA	24+	QFN	5524	原裝正品,現(xiàn)貨庫存,1小時(shí)內(nèi)發(fā)貨	詢價(jià)
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更多PMPB27EP供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-21 22:59:00

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