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PMPB15XP	文件：260.18 Kbytes Page：14 Pages	12 V, single P-channel Trench MOSFET General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. Features and benefits ? 1.5 kV ESD protection (human body model) ? Trench MOSFET technology 文件：260.18 Kbytes 頁(yè)數(shù)：14 Pages	恩XP	恩XP
PMPB15XP	文件：375.39 Kbytes Page：15 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/1a/marking.html">1A；Package：SOT1220；12 V, single P-channel Trench MOSFET 1.1 General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits ? 1.5 kV ESD protection (human body model) ? Trench MOSFET 文件：375.39 Kbytes 頁(yè)數(shù)：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMPB15XP	文件：11.62183 Mbytes Page：234 Pages	Discrete and MOSFET components, analog & logic ICs 文件：11.62183 Mbytes 頁(yè)數(shù)：234 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMPB15XP	文件：11.62178 Mbytes Page：234 Pages	Discrete and MOSFET components, analog & logic ICs 文件：11.62178 Mbytes 頁(yè)數(shù)：234 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMPB15XPA	文件：302.91 Kbytes Page：14 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/4j/marking.html">4J；Package：SOT1220；12 V, P-channel Trench MOSFET 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits ? Low threshold voltage ? Trench MOSFET technology ? Side we 文件：302.91 Kbytes 頁(yè)數(shù)：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMPB15XPAX	文件：302.91 Kbytes Page：14 Pages	12 V, P-channel Trench MOSFET 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits ? Low threshold voltage ? Trench MOSFET technology ? Side we 文件：302.91 Kbytes 頁(yè)數(shù)：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMPB15XP_15	文件：260.14 Kbytes Page：14 Pages	12 V, single P-channel Trench MOSFET 文件：260.14 Kbytes 頁(yè)數(shù)：14 Pages	PHI PHI	PHI
PMPB15XP	文件：300 bytes Page：1 Pages	12 V, single P-channel Trench MOSFET P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. ? 1.5 kV ESD protection (human body model)\n? Trench MOSFET technology\n? Small and leadless ultra thin SMD plastic package: 2 x 2 x 0.65 mm\n? Exposed drain pad for excellent thermal conduction\n? Tin-plated 100 % solderable side pads for optical solder inspection;	Nexperia 安世	Nexperia
PMPB15XPA	文件：300 bytes Page：1 Pages	12 V, P-channel Trench MOSFET P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. ? Low threshold voltage\n? Trench MOSFET technology\n? Side wettable flanks for optical solder inspection\n? Small and leadless ultra thin SMD plastic package: 2 x 2 x 0.65 mm\n? AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia

技術(shù)參數(shù)

Package name：
DFN2020MD?6
Product status：
Production
Channel type：
P
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
-12
VGS [max] (V)：
12
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
19
RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：
20
integrated gate-source ESD protection diodes：
N
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
-11.8
QGD [typ] (nC)：
7.3
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
67
Ptot [max] (W)：
1.7
VGSth [typ] (V)：
-0.68
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
2875
Coss [typ] (pF)：
570
Release date：
2012-07-06

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市中遠(yuǎn)芯科技有限公司	PMPB15XP	恩XP	17+	DFN	1000	原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
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更多PMPB15XP供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-19 14:26:00

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