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PMN48XP	文件：448.49 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES ? Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available ? TrenchFET? Power MOSFET APPLICATIONS ? Load Switch 文件：448.49 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	VBSEMI 微碧半導(dǎo)體	VBSEMI
PMN48XP	文件：1.11586 Mbytes Page：15 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/zv/marking.html">ZV；Package：TSOP6；20 V, 4.1 A P-channel Trench MOSFET 文件：1.11586 Mbytes 頁數(shù)：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMN48XPA	文件：265.97 Kbytes Page：14 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/ba/marking.html">BA；Package：TSOP6；20 V, P-channel Trench MOSFET 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface- Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits ? Logic-level compatible ? Trench MOSFET technology ? Very fast switching ? AEC- 文件：265.97 Kbytes 頁數(shù)：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMN48XPA2	文件：292.05 Kbytes Page：15 Pages	絲印：6E；Package：SC-74；20 V, P-channel Trench MOSFET 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface- Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits ? Low threshold voltage ? Extended temperature range Tj = 175 °C ? Very fast swit 文件：292.05 Kbytes 頁數(shù)：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMN48XP_15	文件：528.83 Kbytes Page：15 Pages	20 V, 4.1 A P-channel Trench MOSFET 文件：528.83 Kbytes 頁數(shù)：15 Pages	PHI PHI	PHI
PMN48XPA	文件：11.62183 Mbytes Page：234 Pages	Discrete and MOSFET components, analog & logic ICs 文件：11.62183 Mbytes 頁數(shù)：234 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMN48XPA	文件：11.62178 Mbytes Page：234 Pages	Discrete and MOSFET components, analog & logic ICs 文件：11.62178 Mbytes 頁數(shù)：234 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMN48XP	文件：300 bytes Page：1 Pages	20 V, 4.1 A P-channel Trench MOSFET P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. ? Low RDSon\n? Very fast switching\n? Trench MOSFET technology;	Nexperia 安世	Nexperia
PMN48XPA	文件：300 bytes Page：1 Pages	20 V, P-channel Trench MOSFET P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. ? Logic-level compatible\n? Trench MOSFET technology\n? Very fast switching\n? AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia
PMN48XPA2	文件：300 bytes Page：1 Pages	20 V, P-channel Trench MOSFET P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. ? Low threshold voltage\n? Very fast switching\n? AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia

技術(shù)參數(shù)

Package name：
TSOP6
Product status：
Production
Channel type：
P
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
-20
VGS [max] (V)：
12
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
55
RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：
82
integrated gate-source ESD protection diodes：
N
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
-4.1
QGD [typ] (nC)：
1.7
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
8.7
Ptot [max] (W)：
0.53
VGSth [typ] (V)：
-1
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
999.99994
Coss [typ] (pF)：
130
Release date：
2011-04-22

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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