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PMDT	文件：373.8 Kbytes Page：8 Pages	Packaging specifications surface mounting type 文件：373.8 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
PMDT	文件：318.19 Kbytes Page：2 Pages	DUCT PARTICULATE MATTER SENSOR PRODUCT DESCRIPTION The PMDT Duct Particulate Matter Sensor uses an optical sensor based on laser scattering principles and features innovative contamination resistance technology to perform highly accurate and reliable PM measurements. The replaceable sensor measures particles of PM1.0, PM2 文件：318.19 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	GREYSTONE	GREYSTONE
PMDT	文件：318.21 Kbytes Page：2 Pages	DUCT PARTICULATE MATTER SENSOR PRODUCT DESCRIPTION The PMDT Duct Particulate Matter Sensor uses an optical sensor based on laser scattering principles and features innovative contamination resistance technology to perform highly accurate and reliable PM measurements. The replaceable sensor measures particles of PM1.0, PM2 文件：318.21 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	GREYSTONE	GREYSTONE
PMDT	文件：318.21 Kbytes Page：2 Pages	DUCT PARTICULATE MATTER SENSOR PRODUCT DESCRIPTION The PMDT Duct Particulate Matter Sensor uses an optical sensor based on laser scattering principles and features innovative contamination resistance technology to perform highly accurate and reliable PM measurements. The replaceable sensor measures particles of PM1.0, PM2 文件：318.21 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	GREYSTONE	GREYSTONE
PMDT290UCE	文件：334.71 Kbytes Page：20 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/af/marking.html">AF；Package：SOT666；20 / 20 V, 800 / 550 mA N/P-channel Trench MOSFET 1. General description Complementary N/P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in an ultra small and flat lead SOT666 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits ? Very fast switching ? Trench MOSFET technology ? ESD 文件：334.71 Kbytes 頁數(shù)：20 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMDT290UNE	文件：270.54 Kbytes Page：14 Pages	絲印：AE；Package：SOT666；20 V, 800 mA dual N-channel Trench MOSFET 1. General description Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in an ultra small and flat lead SOT666 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits ? Very fast switching ? Trench MOSFET technology ? ESD protection 文件：270.54 Kbytes 頁數(shù)：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMDT670UPE	文件：262.87 Kbytes Page：14 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/ag/marking.html">AG；Package：SOT666；20 V, 550 mA dual P-channel Trench MOSFET 1. General description Dual P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in an ultra small and flat lead SOT666 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits ? Very fast switching ? Trench MOSFET technology ? ESD protection 文件：262.87 Kbytes 頁數(shù)：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMDT290UCE	文件：255.89 Kbytes Page：20 Pages	20 / 20 V, 800 / 550 mA N/P-channel Trench MOSFET 文件：255.89 Kbytes 頁數(shù)：20 Pages	恩XP	恩XP
PMDT290UNE	文件：186.61 Kbytes Page：16 Pages	20 V, 800 mA dual N-channel Trench MOSFET 文件：186.61 Kbytes 頁數(shù)：16 Pages	PHI PHI	PHI
PMDT290UNE_15	文件：186.6 Kbytes Page：16 Pages	20 V, 800 mA dual N-channel Trench MOSFET 文件：186.6 Kbytes 頁數(shù)：16 Pages	PHI PHI	PHI

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技術參數(shù)

Package name：
SOT666
Product status：
Production
Channel type：
N/P
Nr of transistors：
2
VDS [max] (V)：
20
VGS [max] (V)：
8
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
380
RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：
620
integrated gate-source ESD protection diodes：
Y
VESD HBM (V)：
2000
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
0.8
QGD [typ] (nC)：
0.15
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
0.45000002
Ptot [max] (W)：
0.33
VGSth [typ] (V)：
0.75
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
55
Coss [typ] (pF)：
14.999999
Release date：
2011-10-13

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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