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PMDPB95XNE | 絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/2u/marking.html">2U；Package：DFN2020-6；30 V dual N-channel Trench MOSFET 文件：324.3 Kbytes 頁數(shù)：14 Pages | NEXPERIA 安世 | NEXPERIA | |
絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/3b/marking.html">3B；Package：DFN2020-6；30 V, dual N-channel Trench MOSFET 文件：727.31 Kbytes 頁數(shù)：15 Pages | NEXPERIA 安世 | NEXPERIA | ||
PMDPB95XNE | 30 V dual N-channel Trench MOSFET Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. | Nexperia 安世 | Nexperia | |
30 V, dual N-channel Trench MOSFET Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small and leadless DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. ? Very fast switching\n? Trench MOSFET technology\n? Leadless medium power SMD plasticpackage:2×2×0.65mm\n? Exposed drain pad for excellent thermal conduction\n? EletroStatic Discharge (ESD) protection > 2kVHBM; | Nexperia 安世 | Nexperia | ||
MOSFET 2N-CH 30V 2.4A HUSON6 | 恩XP | 恩XP |
技術參數(shù)
- FET 功能：
邏輯電平門
- 漏源電壓（Vdss）：
30V
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：
2.4A
- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：
120 毫歐 @ 2A，4.5V
- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：
1.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：
2.5nC @ 4.5V
- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：
143pF @ 15V
- 功率 - 最大值：
475mW
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝
- 封裝/外殼：
6-UDFN 裸露焊盤
- 供應商器件封裝：
DFN2020-6
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA/安世 |
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DFN2020-6 |
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