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    PMDPB42UN

    20 V, dual N-channel Trench MOSFET

    Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small and leadless ultra thin DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

    Nexperia

    安世

    PMDPB42UN

    絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/1l/marking.html">1L;Package:DFN2020-6;20 V, dual N-channel Trench MOSFET

    文件:1.07309 Mbytes 頁數(shù):16 Pages

    NEXPERIA

    安世

    PMDPB42UN,115

    MOSFET 2N-CH 20V 3.9A HUSON6

    恩XP

    恩XP

    PMEG100V080ELPD

    CFP-15-3

    NEXPERIA/安世

    PMEG100V080ELPDZ

    CFP-15-3

    NEXPERIA/安世

    技術(shù)參數(shù)

    • FET 功能:

      邏輯電平門

    • 漏源電壓(Vdss):

      20V

    • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):

      3.9A

    • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):

      50 毫歐 @ 3.9A,4.5V

    • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):

      1V @ 250μA

    • 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):

      3.5nC @ 4.5V

    • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):

      185pF @ 10V

    • 功率 - 最大值:

      510mW

    • 工作溫度:

      -55°C ~ 150°C(TJ)

    • 安裝類型:

      表面貼裝

    • 封裝/外殼:

      6-UDFN 裸露焊盤

    • 供應(yīng)商器件封裝:

      DFN2020-6

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    更多PMDPB42UN供應(yīng)商 更新時間2026-1-22 20:02:00

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