電源管理

\n\n1T增強(qiáng)型ET8051內(nèi)核集成最多16+4(移位)個電容觸摸按鍵內(nèi)置4K字節(jié)Flash與128字節(jié)EEPROM工作溫度:-40°C~125C集成8通道11位ADC最多22個雙向通用I/O口封裝形式:24/20/16/8管腳Flash程序區(qū):40年、10萬次EEPROM數(shù)據(jù)區(qū):40年、50萬次 ? 1T增強(qiáng)型ET8051內(nèi)核\n? 集成最多16+4(移位)個電容觸摸按鍵\n? 內(nèi)置4K字節(jié)Flash與128字節(jié)EEPROM\n? 工作溫度:-40°C~125C\n? 集成8通道11位ADC\n? 最多22個雙向通用I/O口\n? 封裝形式:24/20/16/8管腳\n? Flash程序區(qū):40年、10萬次\n? EEPROM數(shù)據(jù)區(qū):40年、50萬次;

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2-Line Ultra Low Capacitance TVS Diode Array

Features ?Ultra low capacitance: 0.4pF typical ?Ultra low leakage: nA level ?Operating voltage: 3.3V ?Low clamping voltage ?Complies with following standards: – IEC 61000-4-2 (ESD) immunity test Air discharge: ±30kV Contact discharge: ±30kV – IEC61000-4-5 (Lightning) 12A (8/20μs) ?Dyna

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