高精度恒壓/恒流、原邊控制PWM功率開關(guān)

? 內(nèi)置高集成度的功率MOSFET\n? +產(chǎn)5%恒壓調(diào)節(jié)\n? 全電壓范圍內(nèi)實現(xiàn)高精度電流調(diào)節(jié)\n? 去除光禍和次級控制電路\n? 內(nèi)置高精度恒流調(diào)節(jié)的線電壓補償\n? 內(nèi)置變壓器電感補償\n? 可編程的輸出線補償\n? 內(nèi)置可提高效率的自適應多模式\n? PWMM/PFM控制\n? 低啟動電流\n? 內(nèi)置軟啟動\n? 內(nèi)置前沿消隱\n? 逐周期電流限制\n? 欠壓保護\n? 內(nèi)置短路保護以及輸出過壓保護;

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聚元微電子

電源管理

PL3325C 是一系列高效率、高集成度、原邊調(diào)節(jié)的 PWM功率開關(guān)，其主要應用于小于 12W 的 AC/DC 反激式開關(guān)電源。PL3325C 通過去除光耦以及次級控制電路，簡化了充電器/適配器等傳統(tǒng)的恒流/恒壓的設(shè)計，從而實現(xiàn)高精度的電壓和電流調(diào)節(jié)，調(diào)節(jié)波形如下圖 1 所示。\n\n復合模式的應用使得芯片能夠?qū)崿F(xiàn)低靜態(tài)功耗、低音頻噪音、高效率。而且高集成的功率 MOSFET 能夠降低外部 PCB的面積以及系統(tǒng)的成本。\n\nPL3325C 同時具有多種保護功能：逐周期峰值電流檢測、欠壓保護、過壓保護等。\n\n\n\n\n\n\n\n1T增強型ET8051內(nèi)核集成最多16+4(移位)個電容觸 ? 1T增強型ET8051內(nèi)核\n? 集成最多16+4(移位)個電容觸摸按鍵\n? 內(nèi)置4K字節(jié)Flash與128字節(jié)EEPROM\n? 工作溫度:-40°C~125C\n? 集成8通道11位ADC\n? 最多22個雙向通用I/O口\n? 封裝形式:24/20/16/8管腳\n? Flash程序區(qū):40年、10萬次\n? EEPROM數(shù)據(jù)區(qū):40年、50萬次;

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聚元微電子

CMOS System Reset

Outline This IC is a system reset IC developed using the CMOS process. Super low consumption current of 0.25μA typ. has been achieved through use of the CMOS process. Also, detection voltage is high precision detection of ±2. Features 1. Super low consumption current 0.25μA typ. (when VDD

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三美

IC for CMOS System Reset

Outline This IC is a system reset IC developed using the CMOS process. Super low consumption current of 0.25μA typ. has been achieved through use of the CMOS process. Also, detection voltage is high precision detection of ±2. Features 1. Super low consumption current 0.25μA typ. (when VDD

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三美

30 WATT ISOLATED DC/DC CONVERTER

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德州儀器