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首頁(yè) >PHT6N06>規(guī)格書(shū)列表

型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
PHT6N06	文件：71.29 Kbytes Page：10 Pages	TrenchMOS transistor Standard level FET Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS? technology. Product availability: PHT6N06T in SOT223. 文件：71.29 Kbytes 頁(yè)數(shù)：10 Pages	PHI PHI	PHI
PHT6N06	文件：300 bytes Page：1 Pages	TrenchMOS transistor Standard level FET	恩XP	恩XP
PHT6N06LT	文件：173.64 Kbytes Page：10 Pages	TrenchMOS? transistor Logic level FET GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode logic level field-effect power transistor in a plastic envelope suitable for surface mounting. The device features very low on-state resistance and has integral zener diodes giving ESDprotection. It is intended for use in DC-DC converters and 文件：173.64 Kbytes 頁(yè)數(shù)：10 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PHT6N06LT	文件：1.06176 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES ? Halogen-free ? TrenchFET? Power MOSFET APPLICATIONS ? Load Switches for Portable Devices 文件：1.06176 Mbytes 頁(yè)數(shù)：8 Pages	VBSEMI 微碧半導(dǎo)體	VBSEMI
PHT6N06LT	文件：67.61 Kbytes Page：9 Pages	TrenchMOS transistor Logic level FET GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode logic level field-effect power transistor in a plastic envelope suitable for surface mounting. The device features very low on-state resistance and has integral zener diodes giving ESDprotection. It is intended for use in DC-DC converters and general 文件：67.61 Kbytes 頁(yè)數(shù)：9 Pages	PHI PHI	PHI
PHT6N06T	文件：71.29 Kbytes Page：10 Pages	TrenchMOS transistor Standard level FET Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS? technology. Product availability: PHT6N06T in SOT223. 文件：71.29 Kbytes 頁(yè)數(shù)：10 Pages	PHI PHI	PHI
PHT6N06T	文件：345.7 Kbytes Page：13 Pages	TrenchMOS? standard level FET 1.1 Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS? technology. Product availability: PHT6N06T in SOT223. 1.2 Features 1.3 Applications n Low on-state resistance n Low QGD n Fast switching n Surface mounting package. n DC to DC converte 文件：345.7 Kbytes 頁(yè)數(shù)：13 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PHT6N06T	文件：300 bytes Page：1 Pages	TrenchMOS? standard level FET Description\nN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS? technology.\nProduct availability:\nPHT6N06T in SOT223.	恩XP	恩XP
PHT6N06T	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.	Nexperia 安世	Nexperia

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
PHT6N06
功能描述：
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司	PHT6N06	MAXIM	23+	SOT23-5	5000	原裝正品,假一罰十	詢價(jià)
深圳市華來(lái)深電子有限公司	PHT6N06	恩XP	23+	SOT223	11846	一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十	詢價(jià)
深圳市華斯頓科技有限公司	PHT6N06	XX	25+23+	SOT89	77161	絕對(duì)原裝正品現(xiàn)貨,全新深圳原裝進(jìn)口現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳誠(chéng)思涵科技有限公司	PHT6N06	XX	19+	SOT89	20000	500	詢價(jià)
深圳市華睿芯科技有限公司	PHT6N06	XX	24+	SOT89	20000	全新原廠原裝，進(jìn)口正品現(xiàn)貨，正規(guī)渠道可含稅??！	詢價(jià)
深圳市澳億芯電子科技有限公司	PHT6N06	PHI	25+	SOT223	20000	普通	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	PHT6N06	XX	23+	SOT89	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	PHT6N06	PHI	2022+	SOT223	20000	原廠代理終端免費(fèi)提供樣品	詢價(jià)
深圳市億智騰科技有限公司	PHT6N06	XX	24+	SOT89	18560	假一賠十全新原裝現(xiàn)貨特價(jià)供應(yīng)工廠客戶可放款	詢價(jià)
深圳市晨豪科技有限公司	PHT6N06	XX	23+	SOT-89	89630	當(dāng)天發(fā)貨全新原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)

更多PHT6N06供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-21 15:35:00

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