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PHP83N06T	文件：263.58 Kbytes Page：13 Pages	TrenchMOS Standard Level FET Description N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS?1 technology, featuring very low on-state resistance. Product availability: PHP83N06T in SOT78 (TO-220AB). Features ■ TrenchMOS? technology ■ Fast switching ■ Low on-state resistanc 文件：263.58 Kbytes 頁數(shù)：13 Pages	PHI PHI	PHI
PHP83N06T	文件：372.08 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 75A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 12mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：372.08 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
PHP83N06T	文件：300 bytes Page：1 Pages	TrenchMOS Standard Level FET	恩XP	恩XP
PHPT60603NYX	文件：0 bytes Page：0 Pages	con	NEXPERIA 安世上傳：北京天陽誠業(yè)科貿(mào)有限公司	NEXPERIA
PHR-10	文件：0 bytes Page：0 Pages	N/A	JST JST集團(tuán) 上傳：深圳市云泰半導(dǎo)體科技有限公司二部	JST

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