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PHP130N03T	文件：59.23 Kbytes Page：8 Pages	TrenchMOS transistor Standard level FET GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode standard level field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology. The device features very low on-state resistance and has integral zener diodes giving ESD protection up to 2kV. It is intended for use in DC-DC converters a 文件：59.23 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	PHI PHI	PHI
PHP130N03T	文件：300 bytes Page：1 Pages	TrenchMOS transistor Standard level FET	恩XP	恩XP
RLW130N03	文件：1.10923 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 30 V (D-S) MOSFET 文件：1.10923 Mbytes 頁數(shù)：7 Pages	VBSEMI 微碧半導(dǎo)體	VBSEMI
RMW130N03	文件：1.12555 Mbytes Page：7 Pages	4.5V Drive Nch MOSFET 文件：1.12555 Mbytes 頁數(shù)：7 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
RMW130N03	文件：1.1084 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 30 V (D-S) MOSFET 文件：1.1084 Mbytes 頁數(shù)：7 Pages	VBSEMI 微碧半導(dǎo)體	VBSEMI

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更多PHP130N03T供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-19 16:01:00