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型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
PHD38N02LT	文件：252.6 Kbytes Page：13 Pages	TrenchMOS logic level FET Description N-channel logic level field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS? technology. Product availability: PHB38N02LT in SOT404 (D2-PAK) PHD38N02LT in SOT428 (D-PAK). Features ■ Low on-state resistance ■ 2.5 V gate drive. Applications ■ Linear regulator for 文件：252.6 Kbytes 頁(yè)數(shù)：13 Pages	PHI PHI	PHI
PHD38N02LT	文件：299.78 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 45A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 20V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 16mΩ(Max)@VGS= 5V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：299.78 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	ISC 無(wú)錫固電	ISC
PHD38N02LT	文件：206.38 Kbytes Page：13 Pages	N-channel TrenchMOS logic level FET 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features 1.3 Applications n Linear regulator for Double-Data Rate (DDR) memory n Low on-state resistance n 2.5 V gate drive 文件：206.38 Kbytes 頁(yè)數(shù)：13 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PHD38N02LT	文件：91.34 Kbytes Page：12 Pages	N-channel TrenchMOS logic level FET 文件：91.34 Kbytes 頁(yè)數(shù)：12 Pages	恩XP	恩XP
PHD38N02LT	文件：309.83 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：309.83 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	ISC 無(wú)錫固電	ISC
PHD38N02LT	文件：300 bytes Page：1 Pages	PHD38N02LT - N-channel TrenchMOS logic level FET N-channel TrenchMOS logic level FET - Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. ·Low conduction losses due to low on-state resistance\n·Suitable for use with 3.3 V microprocessors due to 2.5 V gate drive;	Nexperia 安世	Nexperia

技術(shù)參數(shù)

Package name：
DPAK
Product status：
Production
Channel type：
N
Number of transistors：
1
V_DS [max] (V)：
20
R_DSon [max] @ V_GS = 5 V (mΩ)：
16
T_j [max] (°C)：
175
I_D [max] (A)：
44.7
Q_GD [typ] (nC)：
4.2
P_tot [max] (W)：
57.6
V_GSth [typ] (V)：
1
Automotive qualified：
N
C_iss [typ] (pF)：
800
C_oss [typ] (pF)：
260
Date：
2010-09-02

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	PHD38N02LT	NEXPERIA/安世	25+	TO-252	38223	NEXPERIA/安世全新特價(jià)PHD38N02LT即刻詢購(gòu)立享優(yōu)惠#長(zhǎng)期有貨	詢價(jià)
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