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首頁(yè) >PHB112N06T>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
PHB112N06T	文件：262.59 Kbytes Page：14 Pages	N-channel enhancement mode field-effect transistor Description N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS?1 technology. Product availability: PHP112N06T in SOT78 (TO-220AB) PHB112N06T in SOT404 (D2-PAK). Features ■ Fast switching ■ Very low on-state resistance. Applications ■ Genera 文件：262.59 Kbytes 頁(yè)數(shù)：14 Pages	PHI PHI	PHI
PHB112N06T	文件：344.33 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 75A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 55V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 8.0mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：344.33 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	ISC 無(wú)錫固電	ISC
PHB112N06T	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel enhancement mode field-effect transistor Description\nN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS?1 technology.\nProduct availability:\n?? PHP112N06T in SOT78 (TO-220AB)\n?? PHB112N06T in SOT404 (D2-PAK). ■ Fast switching\n■ Very low on-state resistance.Applications\n■ General purpose switching\n■ Switched mode power supplies.;	恩XP	恩XP
PHP112N06T	文件：371.33 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 75A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 55V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 8.0mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：371.33 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	ISC 無(wú)錫固電	ISC
PHP112N06T	文件：262.59 Kbytes Page：14 Pages	N-channel enhancement mode field-effect transistor Description N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS?1 technology. Product availability: PHP112N06T in SOT78 (TO-220AB) PHB112N06T in SOT404 (D2-PAK). Features ■ Fast switching ■ Very low on-state resistance. Applications ■ Genera 文件：262.59 Kbytes 頁(yè)數(shù)：14 Pages	PHI PHI	PHI

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
PHB112N06T
功能描述：
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市恒創(chuàng)達(dá)實(shí)業(yè)有限公司	PHB112N06T	PHI	17+	TO-263	6200		詢價(jià)
深圳市華來(lái)深電子有限公司	PHB112N06T	恩XP	23+	TO-263	11846	一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十	詢價(jià)
深圳市澳億芯電子科技有限公司	PHB112N06T	PHI	25+	TO-263	20000	普通	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	PHB112N06T	PHI	23+	TO263	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	PHB112N06T	恩XP	22+	TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T	9000	原廠渠道,現(xiàn)貨配單	詢價(jià)
深圳市恒達(dá)億科技有限公司	PHB112N06T	PHI	25+	TO-263	4500	全新原裝、誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)、公司現(xiàn)貨銷售!	詢價(jià)
深圳市晨豪科技有限公司	PHB112N06T	PHI	23+	TO-263	89630	當(dāng)天發(fā)貨全新原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	PHB112N06T	恩XP	2023+	SOT252	50000	原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	PHB112N06T	恩XP	23+	TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T	8000	只做原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
天津市博通航睿技術(shù)有限公司	PHB112N06T	恩XP	23+	TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T	7000		詢價(jià)

更多PHB112N06T供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-22 16:00:00

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