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首頁(yè) >PHB101NQ04T>規(guī)格書(shū)列表

型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
PHB101NQ04T	文件：94.98 Kbytes Page：13 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET Description N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS? technology. Features ■ Standard level threshold ■ Very low on-state resistance. Applications ■ Motors, lamps, solenoids ■ Uninterruptible power supplies ■ DC-to-DC converters ■ Ge 文件：94.98 Kbytes 頁(yè)數(shù)：13 Pages	PHI PHI	PHI
PHB101NQ04T	文件：186.47 Kbytes Page：12 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET General description Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. Features and benefits ■ Low conduc 文件：186.47 Kbytes 頁(yè)數(shù)：12 Pages	恩XP	恩XP
PHB101NQ04T	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET	恩XP	恩XP
PHP101NQ04LT	文件：333.22 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 75A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 40V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =8mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：333.22 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	ISC 無(wú)錫固電	ISC
PHP101NQ04T	文件：372.82 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 75A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 40V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 8mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：372.82 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	ISC 無(wú)錫固電	ISC
PHP101NQ04T	文件：94.98 Kbytes Page：13 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET Description N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS? technology. Features ■ Standard level threshold ■ Very low on-state resistance. Applications ■ Motors, lamps, solenoids ■ Uninterruptible power supplies ■ DC-to-DC converters ■ Ge 文件：94.98 Kbytes 頁(yè)數(shù)：13 Pages	PHI PHI	PHI

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
PHB101NQ04T
功能描述：
MOSFET N-CH TRENCH 40V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	PHB101NQ04T	恩XP	24+	TO-263	118		詢(xún)價(jià)
深圳市華來(lái)深電子有限公司	PHB101NQ04T	恩XP	23+	TO-263	11846	一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十	詢(xún)價(jià)
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	PHB101NQ04T	恩XP	20+	SOT404TO-263D2PAK	36900	原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票	詢(xún)價(jià)
深圳市澳億芯電子科技有限公司	PHB101NQ04T	PHI	25+	TO-263	20000	普通	詢(xún)價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	PHB101NQ04T	恩XP	23+	SOT404TO-263D2PAK	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢(xún)價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	PHB101NQ04T	VBsemi	23+	TO263	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢(xún)價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	PHB101NQ04T	恩XP	22+	TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T	9000	原廠渠道,現(xiàn)貨配單	詢(xún)價(jià)
深圳市安羅世紀(jì)電子有限公司	PHB101NQ04T	PHI	2023+	SMD	15585	安羅世紀(jì)電子只做原裝正品貨	詢(xún)價(jià)
天津市博通航睿技術(shù)有限公司	PHB101NQ04T	恩XP	23+	TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T	7000		詢(xún)價(jià)
深圳市順鑫晟科技有限公司	PHB101NQ04T	恩XP	25+	SOT404	188600	全新原廠原裝正品現(xiàn)貨歡迎咨詢(xún)	詢(xún)價(jià)

更多PHB101NQ04T供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-19 15:30:00

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