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首頁 >PH312>規(guī)格書列表

型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
PH312	文件：49.58 Kbytes Page：2 Pages	PHOTO DIODE 文件：49.58 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	NEC 瑞薩	NEC
PH312	文件：300 bytes Page：1 Pages	PHOTO DIODE	Renesas 瑞薩	Renesas
PH3120L	文件：693.78 Kbytes Page：12 Pages	N-channel TrenchMOS logic level FET 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Features and benefits High 文件：693.78 Kbytes 頁數(shù)：12 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PH3120L	文件：84.16 Kbytes Page：12 Pages	N-channel TrenchMOS logic level FET 文件：84.16 Kbytes 頁數(shù)：12 Pages	PHI PHI	PHI
PH3120L	文件：195.33 Kbytes Page：12 Pages	N-channel TrenchMOS logic level FET 文件：195.33 Kbytes 頁數(shù)：12 Pages	恩XP	恩XP
PH3120L	文件：300 bytes Page：1 Pages	PH3120L - N-channel TrenchMOS logic level FET N-channel TrenchMOS logic level FET - Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. ·Higher operating power due to low thermal resistance\n·Low conduction losses due to low on-state resistance\n·Suitable for logic level gate drive sources;	Nexperia 安世	Nexperia

技術(shù)參數(shù)

Package name：
LFPAK56; Power-SO8
Product status：
Production
Channel type：
N
Number of transistors：
1
V_DS [max] (V)：
20
R_DSon [max] @ V_GS = 10 V (mΩ)：
2.65
R_DSon [max] @ V_GS = 4.5 V (mΩ)：
3.7
T_j [max] (°C)：
150
I_D [max] (A)：
100
Q_GD [typ] (nC)：
12.8
Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 4.5 V (nC)：
48.5
P_tot [max] (W)：
62.5
V_GSth [typ] (V)：
1.5
Automotive qualified：
N
C_iss [typ] (pF)：
4457
C_oss [typ] (pF)：
1480
Date：
2011-02-25

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更多PH312供應(yīng)商更新時間2026-1-19 15:30:00

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