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型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
PDTA115EMB	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP resistor-equipped transistor; R1 = 100 kΩ, R2 = 100 kΩ PNP Resistor-Equipped Transistor (RET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement: PDTC115EMB. ? 20 mA output current capability\n? Reduces component count\n? Built-in bias resistors\n? Reduces pick and place costs\n? Simplifies circuit design\n? AEC-Q101 qualified\n? Leadless ultra small SMD plastic package\n? Low package height of 0.37 mm;	Nexperia 安世	Nexperia
PDTA115EMB	文件：960.46 Kbytes Page：12 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/00100000/marking.html">00100000；Package：SOT883B；PNP resistor-equipped transistor; R1 = 100 k廓, R2 = 100 k廓文件：960.46 Kbytes 頁數(shù)：12 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PDTA115EMB,315	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：3-XFDFN；包裝：卷帶（TR）類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置描述：TRANS PREBIAS PNP 50V DFN1006B-3	Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.
PDTA115ES	文件：93.83 Kbytes Page：14 Pages	PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kW, R2 = 100 kW PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 k?, R2 = 100 k? DESCRIPTION PNP resistor-equipped transistor (see “Simplified outline, symbol and pinning” for package details). FEATURES ? Built-in bias resistors ? Simplified circuit design ? Reduction of component count ? Re 文件：93.83 Kbytes 頁數(shù)：14 Pages	PHI PHI	PHI
PDTA115ES	文件：422.65 Kbytes Page：15 Pages	PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kΩ, R2 = 100 kΩ FEATURES ?Built-in bias resistors ?Simplified circuit design ?Reduction of component count ?Reduced pick and place costs. APPLICATIONS ?General purpose switching and amplification ?Inverter and interface circuits ?Circuit driver. 文件：422.65 Kbytes 頁數(shù)：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA

技術(shù)參數(shù)

Package name：
DFN1006B-3
Size (mm)：
1 x 0.6 x 0.37
Channel type：
PNP
Ptot (mW)：
250
R2 (typ) (kΩ)：
100
IC [max] (mA)：
100
R1 (typ) (kΩ)：
100
VCEO (V)：
50

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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