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PD85025STR-E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
PD85025STR-E |
| 參數(shù)屬性 | PD85025STR-E 封裝/外殼為PowerSO-10RF 裸露底部焊盤（2 條直引線）；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF |
| 功能描述 | RF power transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs |
| 封裝外殼 | PowerSO-10RF 裸露底部焊盤（2 條直引線） |
| 文件大小 |
361.05 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
15 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMICROELECTRONICS |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2026-1-22 23:00:00 |
| 人工找貨 | PD85025STR-E價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
PD85025STR-E規(guī)格書詳情
PD85025STR-E屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的PD85025STR-E晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
描述 Description
The PD85025-E is a common source N-channel, enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor. It is designed for high gain, broadband commercial and industrial applications. It operates at 13.6 V in common source mode at frequencies of up to 1 GHz. PD85025-E boasts the excellent gain, linearity and reliability of ST’s latest LDMOS technology mounted in the first true SMD plastic RF power package, PowerSO-10RF. PD85025-E’s superior linearity performance makes it an ideal solution for car mobile radio.
The PowerSO-10 plastic package, designed to offer high reliability, is the first ST JEDEC approved, high power SMD package. It has been specially optimized for RF needs and offers excellent RF performances and ease of assembly.
特性 Features
■ Excellent thermal stability
■ Common source configuration
■ POUT = 25 W with 15.7 dB gain @ 870 MHz / 13.6 V
■ Plastic package
■ ESD protection
■ In compliance with the 2002/95/EC European directive
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
PD85025STR-E
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型：
LDMOS
- 頻率：
870MHz
- 增益：
17.3dB
- 額定電流（安培）：
7A
- 功率 - 輸出：
10W
- 封裝/外殼：
PowerSO-10RF 裸露底部焊盤（2 條直引線）
- 供應(yīng)商器件封裝：
PowerSO-10RF（直引線）
- 描述：
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STMicroelectronics |
25+ |
N/A |
21000 |
正規(guī)渠道,免費(fèi)送樣。支持賬期,BOM一站式配齊 |
詢價(jià) | ||
STMicroelectronics |
25+ |
N/A |
21000 |
正規(guī)渠道,免費(fèi)送樣。支持賬期,BOM一站式配齊 |
詢價(jià) | ||
ST |
26+ |
NA |
60000 |
只有原裝 可配單 |
詢價(jià) | ||
STMicroelectronics |
25+ |
PowerSO-10RF 裸露底部焊盤(2 |
9350 |
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ST |
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原廠原封 |
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ST/意法 |
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PowerSO-10RF |
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STMicroelectronics |
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PowerSO-10RF |
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ST/意法半導(dǎo)體 |
25+ |
原廠封裝 |
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ST/意法 |
25+ |
PowerSO-10RF-Formed- |
860000 |
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詢價(jià) |
