PD55008-E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
PD55008-E |
| 參數(shù)屬性 | PD55008-E 封裝/外殼為PowerSO-10 裸露底部焊盤；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：FET RF 40V 500MHZ PWRSO10 |
| 功能描述 | RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs |
| 封裝外殼 | PowerSO-10 裸露底部焊盤 |
| 文件大小 |
501.36 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
25 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMICROELECTRONICS |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2026-1-22 14:36:00 |
| 人工找貨 | PD55008-E價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
PD55008-E規(guī)格書詳情
PD55008-E屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的PD55008-E晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
PD55008-E
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
LDMOS
- 頻率：
500MHz
- 增益：
17dB
- 額定電流（安培）：
4A
- 功率 - 輸出：
8W
- 封裝/外殼：
PowerSO-10 裸露底部焊盤
- 供應(yīng)商器件封裝：
10-PowerSO
- 描述：
FET RF 40V 500MHZ PWRSO10
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半導(dǎo)體 |
24+ |
10RF-Formed-4 |
16960 |
原裝正品現(xiàn)貨支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
ST(意法) |
25+ |
PowerSO-10 裸露底部焊盤 |
500000 |
源自原廠成本,高價(jià)回收工廠呆滯 |
詢價(jià) | ||
ST(意法) |
25+ |
PowerSO-10 裸露底部焊盤 |
12421 |
原裝正品現(xiàn)貨,原廠訂貨,可支持含稅原型號(hào)開票。 |
詢價(jià) | ||
ST/意法 |
2022+ |
5000 |
只做原裝,價(jià)格優(yōu)惠,長(zhǎng)期供貨。 |
詢價(jià) | |||
ST/意法 |
25+ |
POWERSO-10 |
32360 |
ST/意法全新特價(jià)PD55008-E即刻詢購立享優(yōu)惠#長(zhǎng)期有貨 |
詢價(jià) | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
25+ |
原廠封裝 |
10280 |
原廠授權(quán)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源！ |
詢價(jià) | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
2020+ |
10RF-Formed-4 |
7600 |
只做原裝正品,賣元器件不賺錢交個(gè)朋友 |
詢價(jià) | ||
ST |
23+ |
NA |
6800 |
原裝正品,力挺實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
ST |
1341+ |
POWERSO |
10 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
SST |
原廠封裝 |
9800 |
原裝進(jìn)口公司現(xiàn)貨假一賠百 |
詢價(jià) |
