PCF85xxC-2 family 256 to 1024 ? 8-bit CMOS EEPROMs with I2C-bus interface

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ICST

256 x 8-bit CMOS EEPROM with I2C-bus interface

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PHI

PHI

256×8-bit CMOS EEPROM with I2C-bus interface

Description\nThe PCF8582C-2 is a floating gate Electrically Erasable Programmable Read Only Memory (EEPROM) with 2 kbits (256×8-bit) non-volatile storage. By using an internal redundant storage code, it is fault tolerant to single bit errors. This feature dramatically increases the reliability compa ■Low power CMOS:\n? ◆2.0 mA maximum operating current\n? ◆maximum standby current 10μA (at 6.0 V), typical 4μA\n■Non-volatile storage of 2 kbits organized as 256×8-bit\n■Single supply with full operation down to 2.5 V\n■On-chip voltage multiplier\n■Serial input/output I2C-bus\n■Write operations:\n? ;

恩XP

帶有I2C總線接口的256 x 8位CMOS EEPROM

PCF8582C-2是一款浮動門控電可擦可編程只讀存儲器(EEPROM)，具備2 kbits（256 x 8位）非易失性存儲器。通過使用內(nèi)部冗余存儲代碼，對單個位元錯誤有容錯功能。相比傳統(tǒng)的EEPROM，此功能顯著提升了可靠性。由于使用全CMOS技術(shù)，所以功耗很低。使用電壓倍增器片上生成編程電壓。\n通過串行I2C總線接收和發(fā)送數(shù)據(jù)字節(jié)?？蓪⒆疃喟藗€PCF8582C-2器件連接至I2C總線。通過三個地址輸入（A0、A1和A2）完成芯片選擇。\n內(nèi)部執(zhí)行E/W周期的定時，所以無需外部組件。引腳7編程時間控制(PTC)必須連接至VDD或保持開路。也可以使用外部時鐘對E/W周期的長度進(jìn)行定時。 低功率CMOS： 2.0 mA最大工作電流\n最大待機(jī)電流為10 uA（6.0 V時），典型為4 uA\n\n組織為256 x 8位的2 kbits非易失性存儲器\n單電源，滿負(fù)載工作低至2.5 V\n片上電壓倍增器\n串行輸入/輸出I2C總線\n寫入操作： 字節(jié)寫入模式\n8字節(jié)頁面寫入模式（每個字節(jié)的總寫入時間最小化）\n\n讀取操作： 連續(xù)讀取\n隨機(jī)讀取\n\n用于寫入的內(nèi)部定時器（無外部組件）\n內(nèi)部上電復(fù)位\n0 kHz至100 kHz時鐘頻率\n通過使用冗余存儲代碼實(shí)現(xiàn)高可靠性\n承受：Tamb = 22Cel時為1,000,000個擦除/寫入(E/W)周期\n10年非易失性數(shù)據(jù);

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帶有I2C總線接口的256 x 8位CMOS EEPROM

PCF8582C-2是一款浮動門控電可擦可編程只讀存儲器(EEPROM)，具備2 kbits（256 x 8位）非易失性存儲器。通過使用內(nèi)部冗余存儲代碼，對單個位元錯誤有容錯功能。相比傳統(tǒng)的EEPROM，此功能顯著提升了可靠性。由于使用全CMOS技術(shù)，所以功耗很低。使用電壓倍增器片上生成編程電壓。\n通過串行I2C總線接收和發(fā)送數(shù)據(jù)字節(jié)?？蓪⒆疃喟藗€PCF8582C-2器件連接至I2C總線。通過三個地址輸入（A0、A1和A2）完成芯片選擇。\n內(nèi)部執(zhí)行E/W周期的定時，所以無需外部組件。引腳7編程時間控制(PTC)必須連接至VDD或保持開路。也可以使用外部時鐘對E/W周期的長度進(jìn)行定時。 低功率CMOS： 2.0 mA最大工作電流\n最大待機(jī)電流為10 uA（6.0 V時），典型為4 uA\n\n組織為256 x 8位的2 kbits非易失性存儲器\n單電源，滿負(fù)載工作低至2.5 V\n片上電壓倍增器\n串行輸入/輸出I2C總線\n寫入操作： 字節(jié)寫入模式\n8字節(jié)頁面寫入模式（每個字節(jié)的總寫入時間最小化）\n\n讀取操作： 連續(xù)讀取\n隨機(jī)讀取\n\n用于寫入的內(nèi)部定時器（無外部組件）\n內(nèi)部上電復(fù)位\n0 kHz至100 kHz時鐘頻率\n通過使用冗余存儲代碼實(shí)現(xiàn)高可靠性\n承受：Tamb = 22Cel時為1,000,000個擦除/寫入(E/W)周期\n10年非易失性數(shù)據(jù);

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