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型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
PBSS5230QA	文件：727.5 Kbytes Page：17 Pages	絲印：000010；Package：DFN1010D-3；30 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor 1. General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless ultra small DFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with visible and solderable side pads. NPN complement: PBSS4230QA. 2. Features and benefits ? Very low collector- 文件：727.5 Kbytes 頁數(shù)：17 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PBSS5230QA	文件：245.01 Kbytes Page：17 Pages	30 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor 文件：245.01 Kbytes 頁數(shù)：17 Pages	恩XP	恩XP
PBSS5230QA	文件：300 bytes Page：1 Pages	30 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless ultra small DFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with visible and solderable side pads.\n NPN complement: PBSS4230QA. ? Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat\n? High collector current capability IC and ICM\n? High collector current gain hFE at high IC\n? High energy efficiency due to less heat generation\n? Reduced Printed-Circuit Board (PCB) area requirements\n? Solderable side pads\n? AEC-Q101 qual;	Nexperia 安世	Nexperia
PBSS5230QA	文件：300 bytes Page：1 Pages	30 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor	恩XP	恩XP
PBSS5230QAZ	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：3-XDFN 裸露焊盤；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：TRANS PNP 30V 2A DFN1010D-3	Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.

技術(shù)參數(shù)

Package version：
SOT1215
Package name：
DFN1010D-3
Size (mm)：
1.1 x 1 x 0.37
transistor polarity：
PNP
P_tot [max] (mW)：
1000
V_CEO [max] (V)：
-30
I_C [max] (A)：
-2
I_CM [max] (A)：
-3
h_FE [min]：
250
h_FE [typ]：
425
f_T [min] (MHz)：
120
f_T [typ] (MHz)：
170
R_CEsat [typ] (mΩ)：
120
R_CEsat [max] (mΩ)：
180
V_CEsat [max] (mV)：
-410

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市科雨電子有限公司	PBSS5230QA	NEXPERIA	25+	DFN-3	6675	就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問購元件!	詢價(jià)
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