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P60B6SN	文件：353.48 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID=60A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 6.7mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC con 文件：353.48 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
P60B6SN	文件：454.46 Kbytes Page：4 Pages	Power MOSFET 文件：454.46 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	SHINDENGEN	SHINDENGEN
P60B6SN	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs　SMD ?SMD\n?Low Ron\n?10V Gate Drive\n?Low Capacitance;	Shindengen 新電元	Shindengen
STB60B6	文件：78.26 Kbytes Page：4 Pages	SURFACE MOUNT BIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR 文件：78.26 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	EIC	EIC
STB60B6	文件：73.52 Kbytes Page：4 Pages	SURFACE MOUNT BIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR 文件：73.52 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	EIC	EIC
STU60B6	文件：28.4 Kbytes Page：4 Pages	SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR VBR : 6.8 - 440 Volts PPK : 600 Watts FEATURES : * 600W surge capability at 1ms * Excellent clamping capability * Low zener impedance * Fast response time : typically less then 1.0 ps from 0 volt to VBR(min.) * Typical IR less then 1mA above 10V * Pb / RoHS Free 文件：28.4 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	EIC	EIC

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更多P60B6SN供應(yīng)商更新時間2026-1-23 9:05:00