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P60B4EL	文件：353.07 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID=60A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 40V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 4.2mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC con 文件：353.07 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
P60B4EL	文件：2.30944 Mbytes Page：6 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced SGT technology 文件：2.30944 Mbytes 頁數(shù)：6 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
P60B4EL	文件：179.1 Kbytes Page：4 Pages	Power MOSFET 文件：179.1 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	SHINDENGEN	SHINDENGEN
P60B4EL	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs　SMD ?SMD\n?Low Ron\n?4.5V Gate Drive\n?Low Capacitance;	Shindengen 新電元	Shindengen

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更多P60B4EL供應(yīng)商更新時間2026-1-23 9:14:00