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P3800EB	文件：2.82166 Mbytes Page：6 Pages	絲?。?strong>P3800EB；Package：TO-92；Thyristor Surge Suppressors (TSS) Features and Benefits Low voltage overshoot Low on-state voltage Does not degrade surge capability after multiple surge events within limit Fails short circuit when surged in excess of ratings Low Capacitance 文件：2.82166 Mbytes 頁數(shù)：6 Pages	UNSEMI 優(yōu)恩半導(dǎo)體	UNSEMI
P3800EB	文件：300 bytes Page：1 Pages	過壓保護(hù)元件	UNSEMI 優(yōu)恩半導(dǎo)體	UNSEMI
P3800EC	文件：2.82987 Mbytes Page：6 Pages	Thyristor Surge Suppressors (TSS) Features and Benefits Low voltage overshoot Low on-state voltage Does not degrade surge capability after multiple surge events within limit Fails short circuit when surged in excess of ratings Low Capacitance 文件：2.82987 Mbytes 頁數(shù)：6 Pages	UNSEMI 優(yōu)恩半導(dǎo)體	UNSEMI
P3800LA	文件：3.73964 Mbytes Page：6 Pages	Thyristor Surge Suppressors (TSS) Features and Benefits Low voltage overshoot Low on-state voltage Does not degrade surge capability after multiple surge events within limit Fails short circuit when surged in excess of ratings Low Capacitance 文件：3.73964 Mbytes 頁數(shù)：6 Pages	UNSEMI 優(yōu)恩半導(dǎo)體	UNSEMI
P3800LB	文件：3.74266 Mbytes Page：6 Pages	Thyristor Surge Suppressors (TSS) Features and Benefits Low voltage overshoot Low on-state voltage Does not degrade surge capability after multiple surge events within limit Fails short circuit when surged in excess of ratings Low Capacitance 文件：3.74266 Mbytes 頁數(shù)：6 Pages	UNSEMI 優(yōu)恩半導(dǎo)體	UNSEMI

技術(shù)參數(shù)

VDRM @Idrm=5μA Vmin：
360
VS @100V/μS Vmax：
460
VT @IT=2.2A Vmax：
4
IS Max (mA)：
800
IT Max (A)：
2.2
IH Min (mA)：
150
Cj @1MHz (pF)：
30
Protectable Lines：
1

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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更多P3800EB供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-22 14:01:00

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