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P26F28HP2	文件：313.84 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID=26A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 280V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.15Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co 文件：313.84 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
P26F28HP2	文件：2.15144 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFETs 280V, 26A, N-channel 文件：2.15144 Mbytes 頁數(shù)：8 Pages	SHINDENGEN	SHINDENGEN
P26F28HP2	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs　THD ?Low Ron\n?High Speed Switching\n?High Avalanche Durability, High di/dt Durability;	Shindengen 新電元	Shindengen
P28F010-120	文件：0 bytes Page：0 Pages	-	INTEL(英特爾) 上傳：深圳市盈慧通電子有限公司	INTEL(英特爾)

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深圳市躍創(chuàng)芯科技有限公司	P26F28HP2	SHINDENGEN/新電元	2022+	TO-220F	30000	進(jìn)口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),絕對(duì)原裝假一罰十	詢價(jià)
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深圳市星宇佳科技有限公司	P26NS60	國產(chǎn)			120		詢價(jià)
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