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P16NE	文件：70.66 Kbytes Page：7 Pages	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE] POWER MOSFET DESCRIPTION This Power Mosfet is the latest development of SGS-THOMSON unique ”Single Feature Size” process whereby a single body is implanted on a strip layout structure. The resulting transistor shows extremely high packing density for low onresistance, rugged avalance characteristics and less 文件：70.66 Kbytes 頁(yè)數(shù)：7 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
P16NE	文件：337.11 Kbytes Page：9 Pages	N - CHANNEL 60V - 0.08 ohm - 16A - TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET DESCRIPTION This Power Mosfet is the latest development of SGS-THOMSON unique Single Feature Size process whereby a single body is implanted on a strip layout structure. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on resistance, rugged avalance characteristics and less c 文件：337.11 Kbytes 頁(yè)數(shù)：9 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
P16NE06	文件：337.11 Kbytes Page：9 Pages	N - CHANNEL 60V - 0.08 ohm - 16A - TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET DESCRIPTION This Power Mosfet is the latest development of SGS-THOMSON unique Single Feature Size process whereby a single body is implanted on a strip layout structure. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on resistance, rugged avalance characteristics and less c 文件：337.11 Kbytes 頁(yè)數(shù)：9 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
P16NE06FP	文件：337.11 Kbytes Page：9 Pages	N - CHANNEL 60V - 0.08 ohm - 16A - TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET DESCRIPTION This Power Mosfet is the latest development of SGS-THOMSON unique Single Feature Size process whereby a single body is implanted on a strip layout structure. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on resistance, rugged avalance characteristics and less c 文件：337.11 Kbytes 頁(yè)數(shù)：9 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS

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