| 型號 | 下載 訂購 | 功能描述 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
|---|---|---|---|---|
NTE465 | Silicon Complementary MOSFET Transistors Enhancement Mode for Switching Applications Absolute Maximum Ratings: Drain–Source Voltage, VDS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25V Drain–Gate Voltage, VDG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V Gate–Source Voltage, VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±30V Gate Current, IG 文件：23.16 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | NTE | NTE | |
High Linearity InGaP HBT Amplifier 文件：828.85 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages | SJM | SJM | ||
Low-voltage avalanche regulator diodes DESCRIPTION High performance voltage regulator diodes in hermetically sealed leaded glass SOD27 (DO-35) packages. The series consists of PLVA450A to PLVA468A. FEATURES ? Very low dynamic impedance at low currents: approximately 1?20 of conventional series ? Hard breakdown knee ? Low noise: a 文件：22.68 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages | PHI PHI | PHI | ||
Wideband Gain Block 文件：274.11 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages | SJM | SJM |
詳細參數(shù)
- 型號：
NTE465
- 制造商：
NTE Electronics
- 功能描述：
MOSFET-N CHANNEL GEN PURP
- 功能描述：
N CHANNEL MOSFET, 25V, 3mA, TO-72; Transistor
- Polarity：
N Channel; Continuous Drain Current
- Id：
3mA; Drain Source Voltage
- Vds：
25V; On Resistance
- Rds(on)：
300ohm; Rds(on) Test Voltage
- Vgs：
-10V; Threshold Voltage Vgs
- Typ：
-5V ;RoHS
- Compliant：
Yes
- 功能描述：
Trans MOSFET N-CH 25V 4-Pin TO-72
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
新 |
31 |
全新原裝 貨期兩周 |
詢價 | ||||
2022+ |
27 |
全新原裝 貨期兩周 |
詢價 | ||||
24+ |
N/A |
58000 |
一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇 |
詢價 | |||
NTE |
23+ |
39386 |
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種 |
詢價 | |||
NTE |
1923+ |
原廠封裝 |
8600 |
萊克訊原廠貨源每一片都來自原廠原裝現(xiàn)貨薄利多 |
詢價 | ||
NTE |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原裝正品代理渠道價格優(yōu)勢 |
詢價 |
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