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NTBS2D7N06M7	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率 MOSFET，N 溝道，標(biāo)準(zhǔn)門極，60 V，110 A，2.7 mΩ This N-Channel MV MOSFET is produced using ON Semiconductor’s advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode. ? Low Qrr\n? Minimize switching loss\n? Soft recovery body diode\n? Reduced EMI and voltage spike\n? Low RDS(on)\n? Minimize conduction loss\n? RoHS compliant\n? Compact design\n? UIS Capability;	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
NTBS2D7N06M7	文件：247.46 Kbytes Page：7 Pages	絲印：NTBS2D7N；Package：D2PAK；N??hannel PowerTrench MOSFET 60 V, 110 A, 2.7 m 文件：247.46 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
NTC5D-11	文件：0 bytes Page：0 Pages	DIP-2	RUILON瑞隆源上傳：深圳市樂創(chuàng)天科技有限公司	RUILON瑞隆源
NTCG163JF103FT1	文件：0 bytes Page：0 Pages	SMD	TDK 東電化上傳：北京天陽誠業(yè)科貿(mào)有限公司	TDK
NTCLE413E2103F102L	文件：0 bytes Page：0 Pages	DIP	VISHAY/威世上傳：深圳市賽美科科技有限公司	VISHAY/威世

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