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NP83P04PDG-E1-AYNote	文件：299.5 Kbytes Page：9 Pages	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET 文件：299.5 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
NP83P04PDG-E1-AY	文件：190.16 Kbytes Page：7 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The NP83P04PDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES ? Super low on-state resistance RDS(on)1 = 5.3 mΩ MAX. (VGS = ?10 V, ID = ?41.5 A) RDS(on)2 = 8.0 mΩ MAX. (VGS = ?4.5 V, ID = ?41.5 A) ? High current rating: I 文件：190.16 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	NEC 瑞薩	NEC
NP9926ASR	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP-8	南麟上傳：深圳市勇康微科技有限公司	南麟
NPA-100B-015A	文件：0 bytes Page：0 Pages	14-SOIC 模塊	Amphenol Advanced Sensors 上傳：深圳市匯創(chuàng)佳電子科技有限公司	Amphenol Advanced Sensors
NPA-500B-005G	文件：0 bytes Page：0 Pages	14-SMD 模塊	Amphenol Advanced Sensors 上傳：深圳市匯創(chuàng)佳電子科技有限公司	Amphenol Advanced Sensors

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